基于钼牺牲层实现晶圆级石墨烯无转移生长的创新方法及其电学性能研究

本研究由来自未知机构的研究团队开展，针对传统石墨烯制备中化学蚀刻金属催化剂导致的污染和损伤问题，开发了一种以钼（Mo）为牺牲层的无转移生长技术。该方法通过简单吹气即可去除牺牲层，在SiO2/Si基底上成功制备出2英寸晶圆级石墨烯，展现出优异的电学均匀性和极低金属残留，为石墨烯电子器件应用提供了高效可靠的制备方案。

　　

这项研究展示了一种简易的晶圆级石墨烯无转移生长（transfer-free growth）技术，采用钼（Molybdenum, Mo）作为牺牲层（sacrificer），在二氧化硅/硅（SiO₂/Si）基底上直接制备石墨烯。该方法无需通过化学蚀刻（chemical etching）去除金属催化剂，仅需简单气流吹扫即可移除钼层，显著简化了工艺流程。最终获得的2英寸石墨烯晶圆表现出高度一致的电学特性（electrical uniformity）和极低的金属残留（minimal metal residue），为石墨烯在电子器件领域的应用提供了更高效、环保的解决方案。