有机渗透基极晶体管：实现高性能光电探测与光存储效应

来自国际团队的研究人员针对弱光探测需求，开发了基于有机渗透基极晶体管（OPBT）的光存储器件。该器件通过多孔铝电极实现载流子捕获，在低于2 V电压下获得109 A W?1超高响应度和105 s级保留时间，为低照度成像技术提供突破性解决方案。

　　

有机渗透基极晶体管（Organic Permeable Base Transistors, OPBT）通过在半导体内嵌入多孔铝电极结构，同步实现了高光增益与电荷存储功能。该器件在低于2 V的工作电压下展现出超过10⁵秒的电荷保留特性，并具备高达10⁹ A W^?1的响应度。研究团队通过电学与光学表征结合技术计算机辅助设计（TCAD）模拟，证实其卓越性能源于多孔基电极处的载流子捕获机制。该器件在300-500 nm波段内达到10¹⁵ Jones的探测率，为弱光环境下高灵敏度图像传感器的发展开辟了新路径。