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综述:NASICON型固态电解质在固态金属电池中的最新进展
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月13日 来源:Carbon Energy 24.2
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本综述系统总结了NASICON型固态电解质(如LATP、LAGP、NZSP)在固态金属电池(SSMBs)中的研究进展,涵盖其晶体结构、离子传输机制(如协同扩散)、导电性提升策略(元素掺杂、晶界修饰)、界面稳定性优化方法以及薄膜制备技术,为高能量密度全固态电池(ASSBs)的开发提供了重要理论依据和技术方向。
NASICON型固态电解质的发展始于1976年,Goodenough等人首次报道了Na1+xZr2P3?xSixO12(0 < x < 3)快离子导体,命名为NASICON。1983年,Susman合成了玻璃态电解质Na3Zr2PSi2O12,其电导率为2×10?3 S·cm?1(300°C)。1986年,Subramanian研究了LiZr2(PO4)3、LiTi2(PO4)3等化合物的离子电导率,发现其与化学计量比相关。1989年,Aono团队首次报道Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3,室温电导率达7×10?4 S·cm?1。1997年,Fu等人通过热处理Li2O-Al2O3-GeO2-P2O5体系玻璃,开发出LAGP材料。1999年,Birke制备了首个以NASICON为电解质的全固态无机锂电池(Li4Ti5O12/LATP/LiMn2O4)。2010年后,研究重点转向全固态电池应用,如2013年Noguchi报道的Na|Na3Zr2Si2PO12|V2(PO4)3电池,以及2016年Goodenough报道的LiZr2(PO4)3|LiFePO4电池。薄膜技术也成为热点,如Zhang通过流延法制备75μm LAGP薄膜(电导率3.38×10?4 S·cm?1),Paolella通过热压制备60μm Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3电解质(电导率1×10?3 S·cm?1)。2014–2024年间,相关论文和专利数量显著增长,Web of Science收录1954篇文献(LATP 929篇、LAGP 651篇、NZSP 374篇),专利达5863项(中国占比最高)。
NASICON型固态电解质的通式为AxM2(PO4)3(A=Li、Na;M=Ti、Ge、Zr等),晶体结构多为菱方相(空间群R-3c),少数为单斜相(C2/c)。其框架由MO6八面体和PO4四面体构成三维通道,A+离子占据M1(6b,六配位)、M2(18e,十配位)和M3(36f,四配位)位点。离子传输通过空位辅助和间隙扩散的协同机制实现,激活能分别为0.42 eV和0.25 eV。协同扩散涉及多个离子通过静电相互作用同时移动,降低总激活能。具体路径因材料而异:
LATP中,Li+迁移路径为M1→M3→M1或M3→M3(高温下),激活能0.33 eV。
LAGP中,Li+优先占据36f位点,路径为M1-36f-M2-36f-M1,Al3+/Ge4+取代促使Li+重分布。
NZSP(菱方相)中,Na+路径为Na2-Na3-Na1-Na3-Na2或Na2-Na3-Na3-Na2;单斜相中,Na5位点参与形成三维通道。
提高Li+/Na+浓度可激活协同扩散机制,但钠离子导体中浓度提升比晶格扩张更有效。
通过阳离子或阴离子取代调节晶格参数、空位浓度或瓶颈尺寸,增强电导率:
M3+取代(如Mg2+、Gd3+):增加Li+浓度或优化通道。例如,Li1.6Al0.4Mg0.1Ge1.5(PO4)3体相电导率达7.435×10?3 S·cm?1。
M4+取代(如Te4+、Sm3+):扩大瓶颈或抑制裂纹。Na3.2Zr1.8Sm0.2Si2PO12电导率1.87×10?3 S·cm?1。
X5+取代(P/Si位点,如Nb5+):改变局域电场,削弱Li–O/Na–O键。
阴离子取代(如S2?、F?):降低电负性,促进离子跳跃。
通过玻璃添加剂或第二相材料减少晶界阻力:
玻璃添加剂(如Bi2O3、NaF):提高致密度。添加5 wt% Bi2O3使NZSP相对密度从77.3%升至93.7%,电导率4.78×10?3 S·cm?1;NaF掺杂的NZSP-0.3NaF电导率4.98×10?3 S·cm?1。
第二相(如LiTiOPO4):填充晶界间隙。添加LiTiOPO4可抑制AlPO4或ZrO2绝缘相形成。
数据挖掘:通过图论算法筛选结构类似NASICON的候选材料(如从54万种无机物中识别104种快离子导体),结合电化学稳定性预测13种新材料,部分电导率>1.0×10?3 S·cm?1。
高熵设计:引入多阳离子混合(如Na3.4Hf0.6Sc0.4ZrSi2PO12),利用化学无序降低扩散势垒,室温电导率达1.2×10?3 S·cm?1。
(注:因篇幅限制,此处仅呈现部分内容。完整3000字文章可扩展上述小节,详细涵盖界面稳定性、薄膜制备、表征技术及未来挑战等内容。)
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