综述：人工界面准电场：促进Ga2O3光电探测器发展的新途径

本综述系统阐述了人工界面准电场（Quasi-Electric Field）在Ga2O3基光电探测器中的突破性作用。通过异质/同质结能带偏移调控载流子传输，显著改善暗电流、光响应度、响应速度及探测带宽，为宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor）器件设计提供新范式。

　　

Abstract

作为宽禁带半导体材料的新兴代表，氧化镓（Ga₂O₃）在过去二十年中取得了显著进展。其器件应用正处在承前启后的关键转折点。Ga₂O₃特别适用于构建日盲深紫外光电探测器，展现出高精度、低背景噪声和广泛应用场景等优势。

界面电场调控机制

不同于传统光电导探测器，半导体-半导体结中的异质/同质界面能带偏移会形成人工界面准电场。这种电场能有效调控载流子传输行为，进而改变器件工作特性。该现象可衍生出多种新颖的物理功能，为器件设计提供全新自由度。

性能优化策略

本文从器件物理角度详细探讨了人工界面电场对Ga₂O₃基结型光电探测器的光物理行为的调控作用。重点阐述了在暗电流抑制、光响应增强、响应速度提升和探测带宽扩展等方面的改进策略。通过能带工程手段，可实现载流子分离效率的显著优化。

结型器件分类

根据不同界面特性，结型探测器可分为异质结与同质结两大类别。异质结利用不同材料间的能带差异形成内置电场，而同质结则通过掺杂调控实现能带弯曲。两类结构均可产生有效的人工界面准电场。

应用前景展望

人工界面准电场技术为Ga₂O₃基光电探测器性能提升开辟了新途径。在深紫外探测、高精度传感和低噪声检测等领域具有广阔应用前景。未来需进一步探索界面电场与材料特性的耦合机制，充分释放Ga₂O₃基器件的巨大潜力。

Conflict of Interest

作者声明无利益冲突。