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基于InGaZnO的薄膜热敏电阻在PEEK织物上的集成及其在绿色智能纺织品中的应用
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月14日 来源:Advanced Electronic Materials 5.3
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本刊推荐:本文创新性地提出了一种在生物相容性聚醚醚酮(PEEK)织物上集成可完全回收的薄膜电子器件的策略,重点研究了三种不同电极(Zn, Al, Ag)的铟镓锌氧化物(IGZO)基热敏电阻。该器件兼具透气性(WVTR达1281 g/m2h-1)、柔性(可承受1000次弯曲循环)与热响应性(TCR达-1.5×10-2 °C-1),并通过水溶解策略实现衬底重复利用(第二代器件性能衰减仅60%),为可持续电子纺织品(e-textiles)提供了突破性解决方案。
引言
纺织工业在人类社会中长期扮演着关键角色,近年来更在可持续性和创新领域成为重要推动力。现代纺织品已进化出抗菌性、防水性、防紫外线辐射和化学品防护等先进特性,但其面临严峻的环境挑战——全球每年产生超过9200万吨纺织废物,仅不足20%被回收利用。与此同时,电子纺织品(e-textiles)的兴起为医疗保健、运动服装、航空航天等领域提供了创新解决方案,但其有限的寿命终止(EoL)策略和有毒材料的使用制约了可持续发展。
基于铟镓锌氧化物(IGZO)的水溶性材料作为传感器敏感元件已被广泛研究,但其与绿色纺织基底的结合仍存在技术瓶颈。聚醚醚酮(PEEK)作为一种生物相容、半结晶、化学惰性的热塑性材料,以其耐水解性和优异的热机械性能成为理想基底。本研究首次实现了在PEEK织物上集成可回收薄膜热敏电阻的系统方案,通过聚乙烯醇(PVA)平面化层处理,结合低温溅射工艺,构建了兼具透气性、柔性和循环利用特性的智能传感平台。
结果与讨论
基底特性与平面化层优化
采用商用PEEK燃料过滤织物(SEFAR AG)作为基底,其编织结构呈现经向纬向各4线/毫米的均匀分布,单线厚度约37μm。通过PVA水溶液(4.7%)浸涂工艺研究,发现1分钟浸泡时间可实现最优平衡:PVA相对吸收率(RAR)仅2.3 mg/m2,弯曲刚度(BS)为10.7 mg·cm,水蒸气透过率(WVTR)保持0.978 kg/m2h,仅比原始织物降低29%。光学轮廓仪显示形成约5μm厚PVA平面化层,有效改善织物表面平整度而不影响其多孔结构。
器件制备与结构特性
采用室温直流溅射沉积100nm金属电极(Al、Zn、Ag)和射频溅射50nm IGZO敏感层,结合乙烯基胶带阴影掩模技术避免光刻工艺的化学污染。最终器件呈现阶梯状结构:80μm PEEK织物基底、5.3μm PVA平面化层、金属电极和IGZO功能层。Ag基器件初始电阻达1×106Ω,Zn基和Al基分别为50×102Ω和2×104Ω,证明电极与半导体层间形成良好欧姆接触。
透气性性能评估
通过水杯称重法测量WVTR发现:原始PEEK织物为1.383 kg/m2h,PVA涂层后降至0.978 kg/m2h,而完成电子器件集成后反而提升至1281 g/m2h(约1.281 kg/m2h)。这种反常现象源于真空溅射过程清除了PVA层部分孔洞阻塞物,使孔密度恢复至12孔/mm2(达原始织物的77.7%)。该值显著高于文献报道的智能纺织品(如棉基运动检测器43.76 g/m2h,大麻压力传感器40 g/m2h),达到商业透气织物水平(约1000 g/m2h)且接近人体皮肤透湿率(200-2500 g/m2h)。
热敏特性分析
在25-60°C温度循环测试中,Al基热敏电阻呈现最佳稳定性,温度系数(TCR)为-8.4×10-3 °C-1(R2=0.99),滞后率仅2.27%。Zn基器件首次循环后出现接触失效,TCR为-7×10-4 °C-1(R2=0.76)。Ag基器件表现突出:TCR达-1.5×10-2 °C-1(R2=0.99),滞后率3.34%,零点漂移<1%,性能与柔性塑料基底热敏电阻相当。
机械弯曲性能
在3mm弯曲半径下进行1000次循环测试,Ag基器件仅出现7%电阻变化,且弯曲后仍保持热响应功能(TCR从-1.5×10-2变为-3.0×10-3 °C-1)。Al基和Zn基器件分别在第300次和266次循环后失效,归因于Al2O3和ZnO天然氧化物的脆性断裂。Ag基器件因氧化 negligible 而展现优异机械耐久性,光学显微镜观察未发现裂纹或分层现象。
气体传感能力探索
针对NO2气体检测(1-50ppm浓度范围)显示:Zn基器件响应率64.73%(50ppm时),但存在高标准差;Ag基器件呈现基线漂移但响应率达467.64%;Al基器件响应不稳定。虽然当前结果表明显著的气体传感潜力,但需进一步研究以优化选择性和稳定性, particularly 针对呼吸诊断应用(人体呼气中NO2作为哮喘生物标志物)。
循环利用策略验证
采用60°C去离子水溶解18天的EoL策略,成功去除PVA平面化层和IGZO功能层(Ag电极残留需额外清理)。在 reused PEEK织物上重新涂覆PVA并制备第二代Ag基热敏电阻,其TCR为-6×10-3 °C-1(R2=0.99),虽比第一代衰减60%,但仍保持可靠热响应功能。Al基和Zn基器件溶解实验显示类似可行性,证明该策略适用于不同电极材料体系。
结论
本研究首次实现了在生物相容PEEK织物上集成全回收IGZO基热敏电阻的技术路线。通过优化PVA平面化层工艺(1分钟浸泡)和室温溅射技术,获得WVTR超1281 g/m2h的透气器件。Ag基器件展现最佳综合性能:TCR达-1.5×10-2 °C-1,机械弯曲1000次后仅7%性能变化,NO2气体响应显著,并通过水溶解实现衬底重复利用。未来研究将聚焦于:①采用天然纤维基底(棉、竹、麻)进一步降低碳足迹;②扩展温度检测范围适应户外环境;③优化机械结构降低弯曲后灵敏度衰减;④深化NO2传感校准用于医疗诊断。该工作为短周期使用、可回收贴片式智能纺织品提供了创新解决方案,推动柔性电子向环境友好方向演进。
实验方法
PEEK织物特性:商用PEEKTEX IEM 17-195/70织物,重量11×10-4 g/cm2,编织结构1:1,经纬线间距分别为270μm和251μm。
PVA浸涂研究:通过称重法计算RAR,悬垂刚度仪测试弯曲刚度,水杯称重法测量WVTR。
电子制备:DC溅射100nm金属电极(Al、Zn、Ag),RF溅射50nm IGZO,阴影掩模 patterning。
性能表征:密封腔室内进行温度循环(25-60°C)和NO2气体测试(1-50ppm),定制弯折机进行机械测试(3mm半径)。
溶解实验:60°C去离子水搅拌18天,清除残留后重新涂覆PVA制备第二代器件。
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