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NiO-Gd2O3复合纳米结构介电弛豫机制及其界面电荷动力学研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月14日 来源:ChemistrySelect 2
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本研究针对NiO-Gd2O3枝晶复合纳米结构的介电弛豫行为,通过XRD相分析、UV-Vis能带测试(4.53 eV)及宽频介电谱(50 Hz-1 MHz)揭示了晶格失配诱导的界面离子交换对电荷动力学与导电机制(幂律指数n=0.3-1.5)的关键调控作用,为新型介电材料设计提供理论依据。
研究团队通过分析氧化镍(NiO)与氧化钆(Gd2O3)复合纳米结构的介电弛豫行为,聚焦于界面区域的电荷动力学过程。X射线衍射(XRD)证实材料具有立方相结构,紫外-可见光谱(UV-Vis)显示其能带间隙为4.53 eV。在30–270°C温度和50 Hz–1 MHz频率范围内的介电谱测试表明,阻抗实部与虚部可通过电阻与恒定相位元件(CPE)等效电路拟合。导电行为符合幂律规律,指数n值介于0.3–1.5之间,反映出非扩散性与局域扩散性两种导电机理。晶格失配引发的阳离子交换在界面处扮演关键角色,显著影响枝晶纳米复合物的介电及导电特性。
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