四核Cu(I)配合物电子结构与光物理性质的理论研究及其在OLED器件中的应用潜力

来自研究人员通过密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)计算，系统研究了四种四核Cu(I)配合物的电子结构与光物理性质。研究发现配合物3具有最强电子注入能力，配合物4可能具备高磷光量子效率，为开发高效有机发光器件(OLED)的铜基材料提供理论依据。

　　

理论研究表明，四种由氯原子桥联的四核铜(I)配合物（标记为¹–⁴）展现出独特的电子结构与光物理特性。通过密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT）和含时密度泛函理论（Time-Dependent DFT, TD-DFT）计算发现，配合物³因具有最大电子亲和能而表现出最强的电子注入能力。其最低单重态→单重态吸收峰分别位于412 nm（¹）、395 nm（²）、509 nm（³）和578 nm（⁴），而最低能量发射峰则分别位于495 nm（¹）、511 nm（²）、615 nm（³）和619 nm（⁴）。值得注意的是，配合物⁴可能具备高磷光量子效率，这一特性使其在有机发光器件（Organic Light-Emitting Devices, OLED）中具有应用潜力。该研究为理解配体取代基对铜(I)配合物性能的调控机制提供了重要理论依据。