CsPbBr3量子点的引入作为一种策略，用于减轻FAPbI3钙钛矿太阳能电池中的表面和晶界缺陷

《Energy Technology》：CsPbBr3 Quantum Dots Incorporation as a Strategy to Mitigate Surface and Grain Boundary Defects in FAPbI3 Perovskite Solar Cells

缺陷钝化策略通过溶剂辅助技术将CsPbBr3量子点（CPB QDs）掺入FAPI薄膜中，有效捕获表面及晶界处的Pb2+离子，显著提升薄膜光电性能，器件效率达17.44%，且在20天稳定性测试中保持85%初始效率，XPS证实CPB QDs成功负载于薄膜表面。

　　

摘要

本文提出了一种用于制备甲胺铅碘化物（FAPI）钙钛矿薄膜的缺陷钝化方法，该方法通过抗溶剂辅助技术引入CsPbBr₃钙钛矿量子点（CPB QDs）。CPB QDs通过与表面及晶界处的未配位Pb²⁺离子相互作用，有效钝化了薄膜中的缺陷，从而制备出高质量的FAPI薄膜。研究还探讨了不同尺寸的CPB QDs对薄膜形貌和器件性能的影响。经过CPB QD改性的FAPI薄膜表现出更强的光致发光强度和更长的载流子寿命，表明界面处的非辐射复合现象得到减弱。此外，在常温条件下对薄膜的稳定性进行了20天的评估，连续的X射线衍射分析证实了其优异的相稳定性。X射线光电子能谱进一步确认了CPB QDs确实存在于FAPI薄膜表面。采用含有CPB QDs的中孔n-i-p结构制备的钙钛矿太阳能电池，其光电转换效率达到了17.44%，开路电压（V_oc）为1.087 V，短路电流密度（J_sc）为23.70 mA cm^?2，填充因子为67.7%，显著优于未经改性的FAPI器件。经改性的器件在常温条件下20天后仍保持85%的初始效率。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。