基于FRET机制的高亮度CdSe/ZnS-CsPb(BrI)3纳米晶助力高性能Micro-LED色转换像素

来自多领域的研究团队针对全无机CsPbX3钙钛矿纳米晶在蓝光/紫外A波段激发效率低的问题，开发了CdSe/ZnS-CsPb(BrI)3异质结构纳米晶（hs-NCs）。通过内置FRET能量转移机制，将CdSe/ZnS的激发能量高效传递至钙钛矿晶格，使hs-NCs在400 nm激发下获得98.7%的量子产率，并成功通过电流体喷印技术制备出8微米级纯红色像素阵列，实现131.3% NTSC色域的全彩显示，为Micro-LED显示技术突破提供新范式。

　　

针对全无机CsPbX₃（X = Cl, Br, I）钙钛矿纳米晶在蓝光与紫外A波段激发效率低的问题，研究人员开发了新型CdSe/ZnS-CsPb(BrI)₃异质结构纳米晶（hs-NCs）。其内置的F?rster共振能量转移（FRET）机制可高效将CdSe/ZnS的激发能量传递至CsPb(BrI)₃晶格，显著增强红色发光。该设计使hs-NCs的光致发光激发光谱峰值迁移至紫外A区，在400 nm激发下实现近98.7%的超高光致发光量子产率（PLQY）。

这类纳米晶与超精细电流体动力喷墨打印技术高度兼容，可制备最小8 μm的高分辨率、高亮度纯红色色转换像素阵列。与蓝绿光钙钛矿纳米晶组合后，可实现色域覆盖达131.3% NTSC标准的全彩像素配置。该突破不仅显著提升色转换层性能，更为微缩显示技术发展开辟了新路径。