嵌入式线缆化学气相沉积法制备SiC/SiC复合接头的损伤容限设计与性能研究

来自多领域的研究人员通过嵌入式线缆化学气相沉积（EWCVD）技术，针对脆性陶瓷接头问题开展SiC/SiC复合管件连接研究，实现了纤维增强均质焊接，XCT分析揭示裂纹偏转增韧机制，虽气体渗透率较高，但为耐损伤陶瓷接头设计提供了新范式。

　　

通过嵌入式线缆化学气相沉积（EWCVD）技术，研究人员成功实现了碳化硅纤维-碳化硅基复合材料（SiC_f/SiC）管件的连接。该方法采用局部加热策略，精准在接头区域沉积并生长碳化硅，最大限度降低对周边复合材料的热损伤。利用X射线计算机断层扫描（XCT）对制备的接头进行无损表征，评估其相对密度、结合界面及成分分布。力学测试中的原位XCT分析观察到结合层中的裂纹偏转现象，呈现出典型的陶瓷基复合材料（CMC）增韧机制。尽管概念验证型复合接头的气体渗透测试显示泄漏率高于全涂层SiC/SiC管件，但该研究首次实现了同质连接中的纤维增强焊接结构，为开发耐损伤的陶瓷接头提供了新的技术路径。当前技术瓶颈如气体渗透性问题，也在与传统陶瓷连接材料的对比中进行了探讨。