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二维CuI/GaTe异质结构的高热电性能第一性原理研究及其应用潜力
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月22日 来源:Physical Chemistry Chemical Physics 2.9
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本研究通过第一性原理计算与玻尔兹曼输运理论相结合,系统评估了CuI/GaTe二维范德华异质结构的热电特性。研究人员发现该异质结构在700 K时热电优值(ZT)高达3.97,平均ZT值超过1,展现出优异的宽温域应用前景,为高性能热电材料设计提供了重要理论依据。
通过第一性原理计算与玻尔兹曼输运理论的结合,研究人员对垂直堆叠的二维CuI/GaTe范德华异质结构的热电特性进行了系统评估。分子动力学模拟和声子色散分析证实了该异质结构的稳定性。研究重点评估了声子弛豫时间、塞贝克系数(Seebeck coefficient)、电导率和晶格热导率(kl)等关键参数。研究发现纳米结构的引入可通过增强界面声子边界散射有效降低kl。值得注意的是,CuI/GaTe异质结构在700 K时热电优值(ZT)达到3.97,超越多数已报道的异质结构性能。平均ZT值超过1的结果表明,该材料在宽温度范围内具有实际热电应用潜力。这些发现为先进热电材料的设计与优化提供了重要见解,为该领域的后续研究开辟了新路径。
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