拓扑绝缘体BiSbSe3单晶中的量子干涉效应

《physica status solidi (b)–– basic solid state physics》：Quantum Interference Effects in the Single Crystal of Topological Insulator BiSbSe3

二维拓扑材料BiSbSe3单晶的合成及其低温磁输运研究表明，其导电性由变程跳跃和弱反局域效应主导，后者源于二维多通道量子协同输运机制。

　　

摘要

为了研究BiSbSe₃的拓扑特性和磁输运行为，研究人员合成了其单晶。该材料系统以其窄带隙和对缺陷诱导导电的敏感性而著称，使其成为研究表面与体输运通道之间相互作用的理想平台。通过结构、光学和磁输运研究，人们试图理解低温导电的机制。输运数据表明，在低温下电流出现上升现象，这是由于变程跳跃（variable range hopping）和弱反局域化（WAL）效应共同作用的结果，这些现象通过2D Hikami–Larkin–Nagaoka（HLN）模型得到了分析。观察到的WAL效应归因于一种二维多通道量子相干输运机制，在这种机制中，电子-电子相互作用决定了系统的相位相干性。这些发现使BiSbSe₃成为下一代自旋电子学和低维量子器件应用中的有前景候选材料。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。