关于基于I线步进器的InGaAs/InP双异质结双极晶体管（DHBTs）的新见解

《Materials Science in Semiconductor Processing》：New insights into I-line stepper based InGaAs/InP double-heterojunction bipolar transistors (DHBTs)

InGaAs/InP DHBT通过I-line光刻技术制备，优化epitaxial layers和Ohmic接触工艺，实现β=40.7@VCE=0V，BVCEO=5.1V@Jc=1kA/cm2，截止频率达262GHz，适用于80Gbps高速集成电路。

　　

Soo Cheol Kang | Jin Chul Cho | Jun-Hwan Shin | Dong Woo Park | Eui Su Lee

韩国大田市电子与电信研究所X射线·太赫兹组件研究部门，邮编34129

摘要

InGaAs/InP双异质结双极晶体管（DHBTs）被认为是无线通信、航空航天和雷达系统中高频功率放大器应用的有希望的候选器件。尽管发射极尺寸的缩小对于提高截止频率（f_T）至关重要，但传统的电子束光刻技术会增加工艺复杂性、生产成本并引发可靠性问题。作为一种成本效益高且能提升产量的替代方案，I线步进光刻技术最近重新受到了关注。在本研究中，使用I线步进光刻技术制造了一种发射极宽度（W_E）为1 μm、发射极长度（L_E）为10 μm、基极宽度（W_B）为0.5 μm的InGaAs/InP DHBT。通过采用优化的外延层和欧姆接触形成工艺，该器件在V_CE = 0 V时的电流增益（β）为40.7，在J_C = 1 kA/cm2时的开基极共发射极击穿电压（BV_CEO）为5.1 V。这些发射极宽度为1 μm的InP DHBTs的截止频率（f_T）达到了262 GHz，表明其在数据传输速率高达80 Gbit/s的集成电路（ICs）中具有应用潜力。

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