用于伪电容的氧阴离子插层钙钛矿氧化物的电子调制

钙钛矿氧化物通过氧阴离子插层机制实现赝电容储能，其电子结构调控活性位点与动力学过程，影响比容量和倍率性能。本文提出氢氧根吸脱附、氧离子迁移速率、氧空位浓度、导电性及界面重构五大关键因素，揭示其与电子结构的关联，并探讨能带结构及电子自旋调控策略。

　　

作为一种新型的赝电容电极材料，钙钛矿氧化物能够通过氧阴离子的插层来储存能量。其电子结构在决定氧阴离子插层的活性位点以及相关动力学过程方面起着关键作用，进而影响钙钛矿氧化物的比容量和倍率性能。因此，我们提出了影响钙钛矿氧化物电极性能的五个关键因素，包括氢氧根离子的吸附与脱附、氧离子的迁移速率、氧空位的浓度、钙钛矿氧化物的导电性以及界面重构，并揭示了这些因素与电子结构之间的内在联系。本文提出了一些调控能带结构和电子自旋状态以优化电极性能的策略，并深入阐述了结构与性能之间的关系。此外，对钙钛矿氧化物电极所面临的挑战性问题及其未来发展前景的讨论，有望为该领域带来前瞻性的指导和新发展机遇。