使用CCII（相变インダクタ）设计新型memtranstor仿真器并进行实验验证

《Journal of Computational Electronics》：Design of a novel memtranstor emulator using CCIIs and experimental validation

提出一种基于第二代电流转换器（CCII）的新型Memtranstor模拟器电路，替代现有设计。采用180nm CMOS工艺，通过PSPICE仿真验证功能，分析多种条件下的性能，支持递增/递减模式转换，并应用于混沌振荡器。优势包括组件少、带宽高、功耗低。

　　

摘要

本研究介绍了一种采用第二代电流传输器（CCII）的新型memtranstor仿真电路，为现有文献中唯一的memtranstor仿真电路提供了另一种选择。该电路由三个CCIII、一个模拟乘法器（AD633）、两个接地电阻器和三个接地电容器组成。该设计采用180纳米CMOS技术实现，并通过PSPICE仿真验证了其功能。在包括夹紧迟滞环、蒙特卡洛分析、记忆效应仿真和温度变化测试等多种条件下分析了电路的行为，所有结果均证实了其正常工作。此外，该电路可以轻松地在增量式和递减式记忆仿真器之间进行转换，显示出其在各种应用中的多功能性。通过实验实现进一步验证了该仿真器的可行性。文中还以基于memtranstor的混沌振荡器为例进行了应用说明。与现有文献中的设计相比，所提出的仿真器具有以下几个关键优势：它使用的有源和无源元件更少，从而结构更简单，具有更紧凑实现的潜力；由于没有运算放大器（op-amps），消除了固定的增益-带宽乘积限制，提高了带宽范围内的增益水平；此外，使用低功耗CMOS参数可能允许使用更低的供电电压，结合较少的元件，可以显著降低功耗。