T-石墨烯的双带模型

《Journal of Computational Electronics》：Two-band model of T-graphene

基于两能带紧束缚模型与格林函数方法，研究T-石墨烯片中局域σ电子和离域π电子对态密度、Pauli顺磁磁化率及热容的影响。结果表明带宽扩展，Van-Hove奇点数量增加，并发现π电子贡献的顺磁响应及σ-π电子耦合导致的Schottky异常，证实两种电子对物理性质均有显著贡献。

　　

摘要

本研究采用双带紧束缚哈密顿模型结合格林函数方法，探讨了局域化的\(\sigma\)电子和非局域化的\(\pi\)电子对T型石墨烯片层的态密度、泡利顺磁磁化率以及电子热容的影响。分析结果显示，电子能带的宽度有所扩展，Van-Hove奇点的数量也有所增加。重要的是，除了石墨烯基纳米系统中的抗磁性等磁性质外，与自由移动的\(\pi\)电子相关的顺磁响应也会出现。此外，在不同温度下观察到了热容的肖特基异常现象，这归因于\(\sigma\)能带和\(\pi\)能带的贡献。这项研究强调了\(\sigma\)电子和\(\pi\)电子对上述物理性质的重要影响。