WS2/Te异质结构中的对称性破缺：显著增强了二次谐波产生效应，并赋予了该结构强烈的各向异性光学特性

《Nanoscale》：Symmetry breaking in a WS2/Te heterostructure with enhanced second-harmonic generation and strong anisotropic optical properties

各向异性范德华异质结的制备及其光学特性研究，发现WS?/Te异质结通过界面对称性破缺实现各向异性光学响应，在850-1064 nm范围内二次谐波生成信号增强，并表现出0.268和0.310的极化度各向异性，同时降低间带散射提升 valleys 极化至0.495。

　　

各向异性的范德瓦尔斯（vdW）异质结构对于智能光电设备的发展至关重要。尽管像WS?这样的过渡金属硫族化合物（TMDCs）在高性能光电设备方面具有巨大潜力，但它们的C?旋转对称性限制了其对偏振敏感的应用。通过形成异质结构来打破TMDCs的晶体对称性是一种实现各向异性光电特性的有效方法。考虑到WS?/Te p-n异质结构在宽光谱响应和增强非线性方面的巨大潜力，我们成功制备了这种异质结构并研究了其各向异性的光学特性。异质结构的形成诱导了界面对称性的破坏，界面显示出二重对称性，这一点通过偏振依赖的二次谐波生成（SHG）测量得到了证实。此外，WS?/Te异质结构在850–1064纳米波长范围内表现出增强的SHG信号。由对称性破坏引起的层间各向异性莫尔条纹效应导致了各向异性的拉曼散射和激子发射，其偏振度（DOP）分别为0.268和0.310。进一步地，异质结构的形成减少了能带间的散射，增强了WS?中的谷极化。特别是在93 K时，异质结构中三重态的谷极化度为0.495。这些结果展示了WS?/Te异质结构在强非线性光学响应和各向异性光电特性方面的潜力，为它们在下一代光子设备中的广泛应用奠定了基础。