综述：金属有机化学气相沉积法制备范德华力作用的二维硫属化合物及异质结构：综述

《Nanoscale》：Metal-organic chemical vapour deposition of van der Waals 2D chalcogenides and heterostructures: a review

二维过渡金属硫族化合物的大规模制备与异质结构建研究进展，综述金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术优化前驱体化学和热力学动力学调控，实现大面积单晶薄膜生长及垂直/横向异质结构建策略，探讨非VI族硫族化合物的合成拓展。

　　

范德华（vdW）二维（2D）过渡金属硫属化合物由于其独特的物理性质和与器件相关的功能，受到了学术界和工业界的越来越多的关注。然而，将2D半导体集成到实际的电子和光电子系统中仍然面临一个关键挑战：在适用于后端生产线（BEOL）加工的条件下实现高质量2D薄膜的晶圆级合成。在这篇综述中，我们重点介绍了金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在均匀且可扩展地生长2D硫属化合物方面的最新进展。首先，我们全面概述了合成策略，强调了前体化学以及控制晶体生长的热力学/动力学因素等关键方面。接着，我们讨论了在大面积上实现外延对齐和单层均匀性的方法，这对于生长单晶2D晶圆至关重要。同时，我们也关注了基底与生长薄膜之间的相互作用，以及MOCVD过程中形成垂直和横向异质结构的方法和效果。此外，我们还回顾了最近在生长非VI族2D vdW硫属化合物方面的努力，以更广泛地探讨其合成途径和结构多样性的调控方法。