通过优化TiN顶层电极中的Ti/N比例，改善了基于HfSiOx的铁电忆阻器的突触特性，从而为神经形态计算提供了更好的支持

《Science China-Information Sciences》：Improved synaptic properties of HfSiOx-based ferroelectric memristors by optimizing Ti/N ratio in TiN top electrode for neuromorphic computing

HfSiO_x基铁电忆阻器通过调控TiN顶电极溅射时的直流功率，研究了其对器件剩余极化、界面电容和隧穿电电阻的影响，并验证其在突增/突降和成对脉冲促进效应下的类脑计算潜力。

　　

摘要

近年来，基于氧化铪的铁电忆阻器因其相较于传统的基于钙钛矿的铁电忆阻器具有多项优势而受到了广泛的研究关注，这些优势包括更好的与CMOS系统的兼容性、更低的功耗以及更高的可扩展性。掺杂硅（Si）的HfO_x展现出巨大的潜力，因为硅的原子半径比铪小，这有助于增强铁电性能。本研究聚焦于基于HfSiO_x的铁电忆阻器，通过改变溅射TiN顶电极时的直流功率来探究其电学特性，同时保持硅的掺杂量和材料成分的一致性。此外，我们重点分析了直流功率与器件耐久性之间的关系，并通过评估在不同直流功率条件下的最大剩余极化强度（2P_r）、界面电容（C_i）和隧穿电阻（TER）来评价这些器件的电学特性。此外，通过研究铁电忆阻器的突触特性（包括增强效应和抑制效应（P&D）以及配对脉冲促进效应（PPF），本研究表明了它们在神经形态计算中的潜在应用前景。