ZnSe/ZnS量子点壳层厚度优化策略提升三重态能量转移与上转换发光性能研究

本研究针对量子点表面缺陷态导致的TET效率降低问题，系统探讨了ZnSe/ZnS核壳量子点壳层厚度对三重态能量转移（TET）与上转换发光的影响。研究发现优化壳层厚度可有效抑制表面陷阱态，同时保持波函数重叠，最终实现高效TET和最大上转换量子产率，为量子点光敏剂设计提供重要依据。

　　

研究人员通过系统研究ZnSe/ZnS核壳量子点中壳层厚度对三重态能量转移（Triplet Energy Transfer, TET）效率的影响规律。发现优化壳层厚度能有效抑制表面陷阱态（surface trap states），同时维持足够的波函数重叠（wavefunction overlap），从而显著提升TET效率与上转换量子产率（upconversion quantum yield）。该研究为量子点-分子杂化体系（ZnSe/ZnS–BCA hybrid systems）中光物理过程的调控提供了重要参考。