用于新型光电应用的Half-Heuslers SrZnSi和SrZnGe材料：基于第一性原理计算的弹性特性、电子结构与光学性能

《Crystal Research and Technology》：Half-Heuslers SrZnSi and SrZnGe Materials for New Optoelectronic Applications: Elastic Properties, Electronic Structures, and Optical Performance From First-Principles Calculations

电子结构与光学特性研究表明SrZnSi和SrZnGe半Heusler材料在立方II型结构中形成能低且稳定，紫外区带隙分别为1.0 eV和0.535 eV，具有光伏应用潜力。

　　

摘要

在本研究中，利用GGA-PBE方法和TB-mBJ势能对SrZnSi和SrZnGe这两种半Heusler材料的电子结构及光学特性进行了分析。其形成能为负值，表明这些材料在热力学上具有稳定性。这两种材料在II型立方结构中更为稳定，其结构常数与实验数据相符，并且满足稳定性标准，但同时表现出脆性特征。在紫外（UV）光谱范围内，两种材料的最大反射率和吸收率分别出现在1.0 eV和0.535 eV的直接带隙处。因此，SrZnSi和SrZnGe具有潜在的光伏应用价值。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突