氧空位诱导非晶三氧化钼中绝热小极化子跃迁及其电子传输调控

本文揭示了非晶MoO3-x中氧空位（OV）诱导形成高局域化小极化子的机制，通过变温电导测试发现两种绝热极化子跃迁模式（活化能0.3eV和0.8eV），证实其与氧空位路径形成能相关，为调控极性子传导和增强电荷稳定性提供了新策略。

　　

Highlight

非晶MoO₃中约4%浓度的氧空位导致两种绝热小极化子跃迁机制：在220K以下为莫特极化子变程跃迁(VRH)，220-450K为热激活绝热跃迁。活化能值（0.3eV和0.8eV）证实极化子沿不同氧空位路径跳跃，这些路径与空位形成能直接相关。

Conclusions

本研究证明氧空位引起的离子混排可在MoO₃基质中形成极端局域化的小极化子（半径小于原子间距）。两种极性子跃迁机制分别对应层内/层间氧空位路径，其中低于θ_D/2（220K）以VRH主导，中温区为绝热跃迁，高温区（>450K）受热离子发射控制。通过调控氧空位密度可实现极性子传导的可编程化，为先进光电器件提供增强的电荷稳定性解决方案。