基于卤化物钙钛矿/Nb:SrTiO3异质结的界面型忆阻器及其在光电突触与逻辑门中的应用研究

来自国内的研究人员针对传统丝状忆阻器因导电细丝随机形成/断裂导致的不稳定性和均匀性差的问题，开发了一种基于卤化物钙钛矿/Nb:SrTiO3（NSTO）单晶异质结的界面型忆阻器。该Au/Cs2AgBiBr6/NSTO/In器件展现出稳定的阻变特性（脉冲操作耐久性>2000次），并通过I-V测试与DFT计算揭示了离子迁移诱导界面势垒调制的机制。器件同时具备自驱动光响应特性与突触功能，基于实验数据的CrossSim仿真在MNIST数据集上实现了95.38%的识别准确率，为多功能忆阻器开发提供了新平台。

　　

卤化物钙钛矿基忆阻器因其优异的光电特性与突触潜能，在人工视觉系统中备受关注。针对当前主流丝状忆阻器因导电细丝随机形成与断裂导致的性能不稳定问题，研究者构建了一种基于卤化物钙钛矿/Nb:SrTiO₃（NSTO）单晶异质结的界面型忆阻器。制备的Au/Cs₂AgBiBr₆/NSTO/In器件表现出稳定的阻变开关特性，在脉冲电压操作下耐久性超过2000次。结合电流-电压（I-V）特性测试与第一性原理密度泛函理论（DFT）计算，研究揭示其开关机制源于离子迁移诱导的界面势垒调制。该器件还展现出自驱动光响应行为，具备实现光电逻辑门应用的潜力。在突触功能研究中，基于实验长时程增强/抑制（LTP/LTD）数据的CrossSim仿真，在MNIST手写数字数据集上实现了95.38%的高识别精度。这项研究为开发高性能多功能忆阻器提供了创新性界面工程策略。