钒掺杂二硫化钼超薄薄膜的膜控气-液-固生长及其光催化CO2还原性能增强研究

《ACS Nano》:Capped Vapor–Liquid–Solid Growth of Vanadium-Substituted Molybdenum Disulfide Ultrathin Films for Enhanced Photocatalytic Activity

【字体: 时间:2026年01月08日 来源:ACS Nano 16

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  本文报道了一种SiO2封盖的气-液-固(VLS)生长方法,成功制备了晶圆级钒掺杂二硫化钼(MoS2)超薄薄膜(Svac-Mo1–xVxS2),实现了钒(V)掺杂与硫空位(Svac)的协同调控。研究表明,V–Svac配对活性位点显著增强了薄膜的光吸收、电荷传输及CO2/H2O吸附能力,最终使光催化CO2还原产CO效率提升至原始MoS2的5倍。该工作为二维材料缺陷-掺杂协同调控提供了新策略,对太阳能燃料转化具有重要指导意义。

  
膜控气-液-固生长方法
研究团队开发了一种SiO2封盖的气-液-固(VLS)生长技术,通过精确调控MoO3、V2O5前驱体厚度、SiO2膜层及生长温度(优化值为750°C),实现了晶圆级Svac-Mo1–xVxS2超薄薄膜的可控制备。该膜层兼具限制钒元素挥发、促进硫/氢扩散及引导二维对称生长的三重作用。原子力显微镜(AFM)和球差校正扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)表征显示,薄膜厚度约2.3层,覆盖率达97%以上,且存在多种堆叠序(如A′A、A′B等)和晶界结构。
薄膜物化特性表征
X射线光电子能谱(XPS)分析表明,钒以V4+形式取代Mo位,导致硫和钼的核级结合能红移,证实电荷从钒向硫-钼转移。钒掺杂浓度(x)可达0.3,并伴随硫空位(Svac)浓度从5.7%(原始MoS2)提升至16.2%。密度泛函理论(DFT)计算显示,钒掺杂显著降低硫空位形成能,促进V–Svac配对形成。拉曼光谱中E2g1模式红移及新振动峰出现,证实晶格畸变和V–S键合。紫外-可见吸收光谱显示薄膜可见光吸收增强,光致发光(PL)完全淬灭,归因于钒和硫空位引入的中间隙态。
微观结构与原子构型模拟
ADF-STEM图像直接观测到硫空位和晶格畸变,且钒原子倾向于与硫空位邻近分布。通过建立随机和偏置分布原子构型模型,发现超过70%的钒原子与硫空位配对(V–Svac对),其形成受热力学驱动。模拟STEM图像再现了实验观察到的低亮度区域,佐证了V–Svac对的存在。
光催化CO2还原性能
在水汽化CO2环境中,Svac-Mo1–xVxS2薄膜表现出显著增强的光催化CO2还原活性,CO产率较原始MoS2提升约5倍,且稳定性长达20小时。光强依赖性实验表明,内量子效率(IQE)在0.5倍太阳光强下最高(0.017%),证实光吸收非决速步。DFT计算揭示V–Svac对优化了H2O吸附能及CO2还原过渡态能垒。扫描电化学显微镜(SECM)面扫描显示,掺杂薄膜的局域电化学活性提升一个数量级,归因于界面电荷传输增强和态密度(DOS)提升。
结论与展望
该研究不仅发展了膜控VLS生长方法用于二维材料掺杂调控,还揭示了V–Svac配对活性位点在增强光催化性能中的关键作用,为设计高效太阳能转化催化剂提供了新思路。
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