基于柔性IGZO技术的双频电压控制振荡器，适用于CB和HF RFID频段

《IEEE Solid-State Circuits Letters》：Dual-Band Voltage-Controlled Oscillator for CB and HF RFID Bands in a Flexible IGZO Technology

柔性电子器件中，跨耦合压控振荡器在IGZO TFT技术平台上实现高频应用，CB模式工作频率26.9-27.7MHz（10V/1.93mW），RFID模式12.9-13.6MHz（4V/140μW），创同类技术最高频率和能效比。

　　

摘要：

本文研究了一种适用于高频RFID和民用频段（CBs）的交叉耦合电压控制振荡器（VCO），并采用柔性铟镓锌氧化物薄膜晶体管（TFT）技术实现了该振荡器。为了解决在该频率范围内集成无源元件的难题并减小电路面积，谐振电路采用有源电感器与金属氧化物半导体电容器的并联结构设计，总面积为 200 μm × 330 μm。该VCO在10 V电源电压下可在民用频段工作，调谐范围为26.9 MHz至27.7 MHz，直流功率为1.93 mW；在4 V电源电压下则可在RFID频段工作，调谐范围为12.9 MHz至13.6 MHz，直流功率为 140 μW。据作者所知，该电路在同类技术中具有最高的性能指标（频率/总功率比）以及最高的振荡频率。

引言

基于薄膜晶体管（TFT）的电子设备在许多领域变得越来越重要，这得益于其低温加工能力、低成本和大规模制造优势。尤其是其机械柔性和可贴合性，使其在可穿戴设备[1]、智能封装[2]、传感器[3]、生物医学仪器[4]等领域具有广泛应用潜力。