氢(H2)能源利用被认为是实现碳中和目标的潜在可持续途径[[1], [2], [3]]。基于半导体的光催化产氢技术可通过光催化水分解将充足的太阳能转化为可储存的清洁氢能[[4], [5], [6]]。石墨碳氮化物(g-C3N4)作为一种典型的无金属半导体,在众多光催化剂中备受关注,因其具有高热稳定性、低成本和良好的化学稳定性[[7], [8], [9], [10]]。然而,传统热聚合工艺制备的g-C3N4通常存在比表面积不足和光激发载流子复合严重的问题,严重限制了其光催化产氢效率[[11], [12], [13], [14], [15], [16]]。通过调控纳米结构、共聚和杂原子掺杂来优化g-C3N4的光催化性能已被证实是有效的方法[[17], [18], [19], [20], [21]]。特别是开发特殊的微观结构可以显著增加比表面积,缩短光激发载流子的迁移距离,从而增加光催化产氢的反应位点,拓宽可见光吸收范围,并提升光催化效率[[22], [23], [24], [25], [26], [27]]。常用的软模板和硬模板方法可用于制备具有特殊微观结构的g-C3N4,且通过选择不同模板可轻松调节其形态和结构[[28], [29], [30], [31], [32], [33]]。Sun等人利用离子液体微环境在热聚合过程中调控g-C3N4的性质[[34]];Shi等人通过硬模板辅助热聚合成功制备了表面带凹坑结构的g-C3N4,同时用NaOH去除SiO2模板[[35]]。然而,软模板方法通常使用有毒且对环境有害的有机导向剂,且改性后的g-C3N4会含有大量来自模板聚合物的碳元素,影响其形态和结构。此外,硬模板方法需要使用二维(2D)或三维(3D)固体材料作为模板,且需在苛刻条件下用有机溶剂去除模板以获得最终产物[[36], [37], [38]]。因此,开发无需模板且环保的g-C3N4光催化剂微观结构改性方法具有重要意义,但面临诸多挑战。
超临界流体是指温度和压力均超过其临界点的物质,具有接近零的表面张力、高扩散系数、优异的润湿性和强溶剂化能力,广泛应用于材料合成和化学反应[[39], [40], [41]]。尤其是超临界二氧化碳(scCO2),具有较低的临界压力(7.38 MPa)和临界温度(304.13 K),同时具备丰富、无毒和环保的优点,在材料合成和改性方面展现出巨大潜力[[42], [43], [44]]。自2006年Gulari首次将scCO2用于层状硅酸盐的插层和剥离以来,近年来scCO2在层状材料剥离领域得到广泛应用[[45], [46], [47]]。Nunoura等人利用scCO2将MoS2剥离成可调相组成和尺寸的纳米片[[48]];Koo等人用scCO2技术剥离MAX Ti3AlC2纳米片,所得MAX纳米片具有较高的导电性[[49]];Yin等人通过系统控制scCO2的插层和相变过程制备出浓度为2.71 mg mL?1的石墨烯分散液,这是迄今为止使用超临界剥离方法获得的最高浓度[[50]]。Xu等人一步法用scCO2将g-C3N4剥离成二维纳米片,scCO2的拉伸和各向异性酸性作用有效破坏了层间范德华力和层内氢键[[51]]。与传统液相剥离技术相比,scCO2剥离技术具有反应时间短、对层状材料形态、光学和电子结构的改性效果更好、分离和纯化步骤更便捷等优点[[55], [56], [57]]。此外,高温高压下的scCO2剥离过程能有效减少层间吸引力,避免剥离片层在堆叠,从而提高稳定性和反应效率[[58,59]]。
本文采用scCO2诱导的超分子前驱体剥离技术自下而上制备蓬松3D结构、类似羊肚菌状的g-C3N4光催化剂,并探讨了最佳工艺参数。进一步通过详细表征分析了蓬松3D结构g-C3N4的结构演变过程及其光催化产氢性能的提升机制。