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工作压力调控ZnO薄膜缺陷化学及其对气敏与光电性能的优化机制研究
《Thin Solid Films》:Effect of the working pressure on the structural, morphological, optical, electrical and gas sensor properties of ZnO films grown by DC magnetron sputtering
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年01月16日 来源:Thin Solid Films 2
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本综述系统探讨了直流磁控溅射(DC magnetron sputtering)中工作压力(WP)对氧化锌(ZnO)薄膜结构、形貌、光学、电学及气敏性能的调控作用。研究发现,工作压力升高导致薄膜厚度、晶粒尺寸及晶格常数减小,并强化了(002)晶面择优取向,这与氧空位(VO)浓度变化密切相关。 thinner films在200°C对甲烷(CH4)表现出优异的气敏响应,归因于其更高的VO浓度。研究揭示了缺陷化学(如Zn间隙(Zni)和VO)在优化ZnO薄膜性能中的关键作用,为开发高性能气敏与光电器件提供了重要依据。
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