14纳米FinFET关断态应力下基于直流-射频关联的缓慢陷阱退化区射频性能提取方法

《IEEE Journal of the Electron Devices Society》：DC-Guided Two-Point RF Estimation of Cutoff Frequency and Intrinsic Gain in FinFETs in the Slow-Trap Degradation Regime

　　

摘要：

在 14 纳米 FinFET 的直流电关断态应力下，跨导和输出电导在慢陷阱退化区域内，其直流提取值与射频提取值表现出强相关性。基于此观察，我们提出一种方法，即利用多个晶体管的直流测量来识别该区域，而射频表征仅限于额外器件上的两个点：一个点刚超过起始点，另一个点在应力实验结束时，以此定义其边界。在这些边界内，幂律插值能够准确估算射频性能指标，包括在应力未被中断以采集 S 参数的点。该方法已验证有效至 8000 秒的应力。提取了本真和非本真跨导和输出电导：非本真值通过与直流测量一致以及直接提取提供直接验证，而去嵌后的本真值使得能够确定本真增益及其随退化的演化。