一种基于FVF的宽负载范围LDO，采用自适应电容放大器和纹波消除技术，用于射频系统

《IEEE Journal of Solid-State Circuits》：A Wide-Load-Range FVF-Based LDO With Adaptive Capacitor Amplifier and Ripple-Cancellation Technique for RF Systems

　　本文提出了一种采用翻转电压跟随器（FVF）拓扑结构的低 dropout 稳压器（LDO），适用于宽负载范围和低噪声应用。所提出的 LDO 具有快速的负载瞬态响应和宽带电源抑制（PSR）性能。为了优化轻载下的频率响应并改善中频带的 PSR 性能，分别提出了自适应电容放大器（ACA）模块和基于电容前馈纹波消除（CFFRC）的纹波注入模块。该设计采用 65nm 标准 CMOS 工艺制造，支持最大 300mA 负载电流，仅需 0.3μF 片外电容。在边沿时间为 100ns 的条件下，实现了 36mV 的下冲电压和 640ns 的建立时间。与未增强的 LDO 相比，轻载时相位裕度（PM）提高了 20°，在 100kHz 至 100MHz 范围内，PSR 提升了 10dB 以上。实测负载调整率为 3.3μV/mA，有源面积为 0.0081mm2，仅需 2.3pF 片上电容。