用于传感内神经形态计算的光电驱动多功能 MoS2:PVA 柔性忆阻器

《Small》：Optoelectronic-Driven Multi-Functional MoS2:PVA Flexible Memristor for In-Sensor Neuromorphic Computing

　　

ABSTRACT

本文介绍了一种多功能Ag/MoS2:PVA/SnO2/Pt忆阻器器件，该器件展现了阻变存储、突触学习和光信息处理能力。该器件表现出稳定的双极阻变切换特性，工作电压较低，SET和RESET电压分别约为0.57 V和-0.86 V，在0.2 V时的ON/OFF比约为400，耐久性可达约10?次循环，保持稳定性超过10?秒，且电阻分离度大于103。该器件在反复弯折及不同弯折半径条件下仍能可靠工作，证实其具有优异的机械柔性。渐变电导调制使器件实现了可重复的增强与抑制行为，从而具备神经形态功能。在光刺激下，观察到波长和强度依赖的电导演化，并遵循指数学习模型，从而实现了光存储特性。此外，利用实验提取的电导重构演示了图像记忆与交通信号识别功能。本文提出了一种基于离子迁移、导电通路调制和光致载流子调制的综合电导切换模型，用以解释该器件的多功能响应。上述结果表明，该平台在人工视觉和传感器内神经形态计算方面具有应用潜力。

利益冲突
作者声明不存在利益冲突。

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