电针通过TLR/TRAF6/NF-κB信号通路改善脑缺血再灌注诱导的炎症反应

《Neurocritical Care》：Electroacupuncture Ameliorating Cerebral I/R-Induced Inflammatory Response through the TLR/TRAF6/NF-κB Pathway

　　

摘要

背景

炎症反应在脑缺血/再灌注（I/R）损伤中起着至关重要的作用，并可能为中风提供新的治疗途径。电针在治疗脑缺血/再灌注损伤方面显示出潜力。

方法

雄性 Sprague–Dawley 大鼠被随机分为四组：假手术组、大脑中动脉阻塞/再灌注（MCAO/R）组、假电针（SEA）组和电针（EA）组。SEA 组和 EA 组在缺血 60 分钟后接受 30 分钟的治疗。在 MCAO/R 操作前和 24 小时后测量体重。在 MCAO/R 操作 24 小时后评估神经功能和梗死体积。使用 Western blot 和反转录聚合酶链反应（RT-PCR）评估 TLR4、TLR9、TRAF6 和 NF-κB 的蛋白和信使 RNA（mRNA）表达水平。使用 RT-PCR 和酶联免疫吸附测定（ELISA）评估炎症标志物的 mRNA 和蛋白表达。

结果

与 MCAO/R 组相比，EA 组表现出神经功能改善、梗死体积减小以及 TLR4、TLR9、TRAF6 和 NF-κB 表达下调。此外，在 EA 组中，促炎细胞因子（TNF-α、IL-6 和 IL-1β）的 mRNA 和蛋白表达降低，而抗炎细胞因子（IL-10）的表达增加。

结论

电针对 MCAO/R 具有神经保护作用，可能是通过调节 TLR4、TLR9、TRAF6 和 NF-κB 通路实现的。这种治疗可能通过影响 TLR/TRAF/NF-κB 信号通路来减少脑 I/R 引起的炎症反应。