直流电压控制下IGBT剩余使用寿命预测的分数长相关多模式方法

《Electronics》:Fractional Long-Range Dependence Multi-Mode for Remaining Useful Life Prognosis of IGBT Under DC Voltage Control

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年10月18日 来源:Electronics 2.9

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  由于IGBT的退化过程是一个缓慢变化的非平稳随机过程,并且在三种模式(有源区、饱和区、截止区)之间随机切换,因此IGBT剩余使用寿命(RUL)预测仍是一个亟待解决的研究问题。本文研究了直流电压控制工作条件下的IGBT RUL预测。首先,通过栅极电压、集电极电压

  
由于IGBT的退化过程是一个缓慢变化的非平稳随机过程,并且在三种模式(有源区、饱和区、截止区)之间随机切换,因此IGBT剩余使用寿命(RUL)预测仍是一个亟待解决的研究问题。本文研究了直流电压控制工作条件下的IGBT RUL预测。首先,通过栅极电压、集电极电压和温度的加权线性组合构建健康特征参数(HFP),用于退化过程的故障特征提取。其次,建立了描述IGBT三种工作模式的马尔可夫状态转移矩阵。进一步,开发了具有三模式特征的长相关分数维布尔过程(fWp)预测模型。最后,在公开的NASA IGBT热过载老化数据集上进行了验证。误差分析表明,与四种预测方法——APE、OSGP、TDNN-GP和SA-NN相比,所提方法获得了更优的预测精度。
IGBT器件存在三种主要失效模式:源于器件固有缺陷的失效、随机开路与短路故障、伴随性能退化的疲劳失效。其中,疲劳失效是IGBT使用寿命的直接决定因素,因此退化后期的疲劳退化应作为可靠性评估的核心指标。IGBT的退化过程是缓慢变化的非平稳随机过程,并具有长相关性(LRD,即时间序列的自相关函数按幂律衰减且积分发散),同时器件会在有源区、饱和区和截止区三种工作模式间随机切换。现有RUL预测方法,如基于物理失效机制的方法、人工智能方法、随机退化模型等,大多忽略这些关键特性,导致预测精度和泛化能力受限。为此,研究人员提出了一种结合HFP、马尔可夫状态转移矩阵和分数维布尔过程(fWp)的多模式RUL预测模型,旨在更准确地描述IGBT在直流电压控制下的退化行为。

研究人员首先构建了健康特征参数(HFP),通过栅极电压、集电极电压和温度的加权线性组合提取退化特征,权重根据基尔霍夫定律确定,并通过±10%和±20%的扰动敏感性分析验证了HFP的鲁棒性。其次,建立了描述IGBT三种工作模式的马尔可夫状态转移矩阵。再者,开发了具有三模式特征的长相关分数维布尔过程(fWp)预测模型。最后,在公开的NASA IGBT热过载老化数据集上验证,结果表明Hurst指数范围为0.6399至0.9981,预测误差MAE=33.3194、RMSE=37.2812,均优于四种基准方法(APE、OSGP、TDNN-GP和SA-NN),且明确考虑了多模式特性,增强了模型可解释性。

关键技术方法主要包括:一,基于基尔霍夫定律的多传感器融合HFP构建,权重由电压比例关系与电流关系确定,并纳入栅极电压以反映栅射极潜在击穿影响;二,基于数据挖掘的模式发生概率估计和马尔可夫状态转移矩阵建立,采用VGE和VCE联合阈值识别硬件干扰引起的瞬时截止样本;三,采用最大似然估计(MLE)求解分数维布尔分布(fWd)的尺度参数λ和形状参数k,并通过拟合优度(GoF)方法(以RMSE和R2为准则)确定分形参数δ;四,建立多模式自适应fWp退化模型,对漂移系数和扩散系数进行联合更新。数据来源为NASA公开的IGBT热过载老化数据集,模块型号IRF-G4BC30KD,门极施加10V直流方波、频率1kHz、占空比40%,温度阈值268°C/270°C,热失控设置305°C,实验持续约4小时。

8.1 HFP and Hurst Exponent Calculated:研究人员将直流门极控制下的IGBT退化数据分离为有源区和饱和区模式,并对三种模式分别构建HFP。归一化后,有源区、饱和区、截止区的故障点(FT)分别为0.8981 p.u.、0.9833 p.u.和0.9509 p.u.。基于三模式退化过程的峰度和Hurst指数计算,明显呈现长相关特性,表明退化过程具有长期记忆性。

8.2 Prognosis Result and Evaluation Discussion:将所提模型与四种基准模型进行对比,基于多模式fWp的模型实现了最佳预测精度。采用平均绝对误差(MAE)、均方根误差(RMSE)、标准差(Std)和Diebold–Mariano检验(D-M)进行评价,D-M统计量小于-1.96,表明fWp模型的预测精度显著优于其他模型。分形参数δ的敏感性测试显示,δ从0.1增至0.4~0.5时,MAE和RMSE逐渐下降;当δ超过0.5后误差明显上升,说明过大δ会剔除过多有效退化样本,导致信息损失。NASA数据集的最优δ约为0.4~0.5,与GoF选择一致。三种模式HFP序列的Hurst估计值及95%置信区间下限均大于0.5,为IGBT退化的长相关性提供了统计证据。

讨论部分指出,OSGP算法忽略了IGBT退化序列的分数特性;APF和SA-NN基于人工智能方法,忽略了模式切换的影响;TDNN-GP结合了神经网络与随机退化模型,但仍然忽略模式切换。所提的多模式fWp模型显式考虑了三模式退化特性,因此具有更好的可解释性和预测精度。研究结论可概括为:针对直流电压控制下的IGBT,提出了具有长相关性的多模式fWp RUL预测模型;HFP的权重分配基于基尔霍夫定律;NASA老化数据集验证表明模型能有效捕获IGBT退化的显著长相关性(Hurst指数0.6399至0.9981),并以最低预测误差(MAE=33.3194,RMSE=37.2812)优于四种主流算法。未来工作将发展更先进的HFP非线性建模,将模型扩展至其他电子设备,并研究时变分形参数δ的在线自适应估计。
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