水热合成单斜白钨矿型BiVO4的结构-性能关系:择优结晶取向在光催化活性中的作用

《Molecules》:Structure–Property Relationships in Hydrothermally Synthesized Monoclinic Scheelite BiVO4: Role of Preferential Crystallographic Orientation in Photocatalytic Activity

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年10月24日 来源:Molecules 5.1

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  单斜白钨矿型BiVO4是一种可见光光催化剂,其性能受到载流子复合和低效电荷传输的限制。本研究采用无表面活性剂的32全因子实验设计,系统研究了初始pH值(0.25、0.50和0.75)和水热温度(160、180和200 °C)对BiVO4结构、形貌、光学、光电化

  
单斜白钨矿型BiVO4是一种可见光光催化剂,其性能受到载流子复合和低效电荷传输的限制。本研究采用无表面活性剂的32全因子实验设计,系统研究了初始pH值(0.25、0.50和0.75)和水热温度(160、180和200 °C)对BiVO4结构、形貌、光学、光电化学和光催化性能的影响。所有九个样品均呈现单斜白钨矿相,在XRD检测限内未发现可检测的二次晶相,并且其晶胞参数、V-O键长、微晶尺寸和光学带隙(2.44 ± 0.06 eV)几乎保持不变。相比之下,作为择优结晶取向描述符的I(040)/I(110)强度比在2.32至3.36之间变化,并与亚甲基蓝(MB)脱色的表观速率常数表现出强相关性(r = 0.931;经Bonferroni校正后p = 0.002),且在留一法敏感性分析中该相关性依然稳健。较高的比值与片状形貌、较低的电荷转移电阻和较高的光电流相关。响应面分析确定了实验域内的最优条件,在pH 0.50和180 °C条件下制备的样品在90分钟内达到86.8%的MB脱色率(kapp = 0.0224 min-1),其表观速率常数约为活性最低样品的六倍。猝灭剂实验表明,O2还原途径和光生空穴是主要贡献者。这些结果将择优结晶取向确定为单斜BiVO4光催化活性的一个重要(尽管非排他性)结构描述符。
研究背景与科学问题
全球约80%的废水未经充分处理即排放,其中含有碳氢化合物、农药、药物、抗生素、合成染料等多种难降解污染物,对生态系统和公共健康构成重大威胁。传统的吸附、混凝、生物处理等方法存在分离而非降解、效率受限等不足。高级氧化工艺(AOPs),特别是异相光催化,因其能产生羟基自由基(·OH)等强氧化性物种以实现污染物降解甚至矿化而备受关注。在众多半导体光催化材料中,单斜白钨矿型BiVO4(ms-BiVO4)因具有合适的可见光响应(带隙约2.4 eV)、化学稳定性好、毒性低和成本相对较低等优点,成为研究热点。然而,其光催化性能受限于光生电子-空穴对的快速复合、较低的载流子迁移率和较短的空穴扩散长度。现有改性策略如构建异质结、元素掺杂等虽有效,但通常引入额外组分和复杂步骤。因此,探索在不引入外来相或掺杂剂的情况下,通过调控晶体形貌和暴露特定晶面(即晶面工程)来提升其性能,成为一种极具吸引力的替代方案。本研究旨在系统评估水热合成中初始pH值和温度这两个关键参数的耦合效应,识别对光催化活性敏感的结构特征,特别是择优结晶取向的作用。
研究方法与技术路线
研究人员采用无表面活性剂的32全因子实验设计,系统考察了初始pH值(0.25、0.50、0.75)和水热温度(160、180、200 °C)对BiVO4性质的影响。主要表征技术包括:X射线衍射(XRD)用于物相鉴定和计算I(040)/I(110)强度比作为择优取向描述符;扫描电子显微镜(SEM)观察形貌;拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析振动模式;紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)测定光学带隙;电化学阻抗谱(EIS)、莫特-肖特基(Mott-Schottky)分析和计时安培法评估光电化学性质;并以亚甲基蓝(MB)脱色为探针反应评价光催化活性,同时进行猝灭剂实验鉴别活性物种。
研究结果
2.1 结构研究
XRD分析表明,所有九种样品均为纯相单斜白钨矿型BiVO4,无其他晶相检出。晶胞参数、V-O键长和微晶尺寸(57-65 nm)在整个实验域内基本不变。然而,代表{010}晶面族择优取向程度的I(040)/I(110)比值从2.32到3.36显著变化,远超随机粉末的理论值0.84,表明合成条件主要影响了{010}方向的择优发育。方差分解显示,I(040)/I(110)比值的变化约80%由(040)衍射峰强度的变化贡献。该比值随温度和pH呈非单调变化,在pH 0.50、180 °C时达到最大值3.36。
2.2 形貌分析
SEM图像显示,样品形貌随合成条件系统变化。160 °C处理的样品颗粒呈圆润或树枝状聚集,无明显晶面。180 °C下,pH 0.50和0.75的样品(M5和M6)呈现出清晰的片状晶体,其宽面法线方向与[010]方向一致,这与它们最高的I(040)/I(110)比值相符。200 °C处理的样品则转变为更等轴的多面体颗粒,各向异性减弱。
2.3 振动光谱
FTIR和拉曼光谱在所有样品中均观察到典型的单斜BiVO4振动模式,特别是位于~827 cm-1的强V-O对称伸缩振动峰,进一步证实了物相的单一性和结构的稳定性。
2.4 光学与电化学表征
所有样品的光学带隙(Eg)平均值为2.44 ± 0.06 eV,光致发光(PL)发射峰位(~544 nm)也基本不变,表明电子能带结构稳定。Mott-Schottky分析显示所有样品均为n型半导体,平带电势(Vfb)和施主密度(Nd)受温度影响显著,180 °C样品通常具有更负的Vfb和更高的Nd。EIS测试表明,180 °C样品组的电荷转移电阻(Rct)最低,仅为其他条件样品的1/4.8至1/1.2。计时安培法测得180 °C样品的光电流密度最高,是其余样品的1.6-4.3倍。这些结果共同表明,180 °C合成的材料具有更优的界面电荷转移动力学。
2.5 光催化活性
在可见光照射下,所有样品均能有效使MB脱色。动力学分析遵循准一级反应,其中M5样品(pH 0.50, 180 °C)表现最佳,90分钟脱色率达86.8%,表观速率常数kapp = 0.0224 min-1,约为最差样品的6倍。双因素方差分析(ANOVA)表明pH和温度均显著影响kapp,且响应面模型的驻点(pH=0.58, T=183 °C)位于实验域内,与M5条件接近。相关性分析揭示,I(040)/I(110)比值与kapp之间存在极强的正相关(Pearson r = 0.931, p < 0.001),即使在控制暗吸附或有效电容后仍高度显著。此外,kapp与Rct呈负相关(r = -0.763),与光电流密度呈正相关(r = 0.773)。M5样品在四次循环使用后活性保持率为96.8%。猝灭剂实验表明,苯醌(BQ,超氧自由基·O2-猝灭剂)抑制效果最强,EDTA(空穴h+猝灭剂)次之,异丙醇(IPA,·OH猝灭剂)最弱,表明O2还原途径和光生空穴是主要活性物种。
总结与结论
本工作通过无表面活性剂的32全因子实验设计,系统地揭示了初始pH和水热温度对单斜白钨矿型BiVO4的耦合影响。研究发现,虽然合成条件对材料的体相结构和光学带隙影响甚微,但能显著调控其沿{010}方向的择优结晶取向。这种取向程度与光催化活性、电荷转移电阻和光电流密度呈现高度一致的关联性。特别是,在pH 0.50和180 °C条件下合成的样品(M5)展现出最大的择优取向、最佳的电荷分离效率和最高的MB脱色活性。结合猝灭剂实验结果,研究认为择优取向促进了光生电子向{010}相关晶面迁移参与氧还原,而空穴则在{110}相关晶面氧化污染物,从而实现了有效的空间电荷分离。因此,择优结晶取向被确认为预测和优化单斜BiVO4光催化性能的一个重要结构描述符。本研究定义了一个无表面活性剂的合成窗口,为可控合成高性能BiVO4光催化材料提供了基础。
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