引言
光伏发电 (PV) 是当前绿色能源的主要方式,晶体硅 (c-Si) 太阳能电池占据约 98% 的市场份额 [1], [2]。在 c-Si 电池的技术演进中,隧穿氧化层钝化接触 (TOPCon) 技术凭借其优异的表面钝化和载流子选择性传输特性,已成为行业的主流路线 [3], [4], [5], [6]。各种方法,包括优化的钝化工艺 [7], [8], [9],高精度钢版印刷 [10], [11], [12],多层多晶硅设计 [13], [14],碳/氮掺杂多晶硅 [15], [16], [17], [18], [19], [20], [21],高方阻硼发射极 [22],改进的金属浆料性能 [23], [24], [25],以及激光增强接触优化 (LECO) 技术 [22], [26], [27],推动了 TOPCon 电池效率的持续突破。目前,双面对称接触和背接触 TOPCon 电池的效率分别达到了 26.66% [7] 和 27.03% [28]。在电池级别实现进一步的效率增益正变得越来越困难。
或者,组件级别的技术创新提供了更高的功率增益潜力 [29]。在这些创新中,多切分电池组件技术是最具代表性的解决方案。它涉及将大尺寸电池切割成多个较小的电池,以减少组件内部的电阻损耗并增加输出功率。例如,半电池组件技术已被广泛采用,以减少组件级电阻损耗并提高组件功率输出 [30], [31], [32], [33]。随着生产电池尺寸的增大和对高功率组件需求的增长,行业目前正在探索生产更高阶的切分电池组件。其目标是进一步减少内部损耗并增加组件功率输出,使得四分之一电池组件成为未来研究的重点。
然而,在切割过程中,切边处的复合导致了显著的效率损失。尽管热激光分离 (TLS) 技术被广泛用于最大限度地减少切割引起的损伤,但暴露的侧边仍然存在,并成为载流子的强复合中心 [34], [35]。由于周长 - 面积比 (P/A) 更大,四分之一电池在切割后的效率损失更为严重 [36]。因此,与半电池组件相比,四分之一切分组件所实现的功率增益需要进一步评估。为了解决切边复合损失的问题,学术界和工业界都进行了广泛的研究。当前的主流解决方案是边缘钝化 [30], [31], [34], [37], [38]。最具代表性的方法是利用原子层沉积 (ALD) 设备在低温下沉积氧化铝 (AlOx) 薄膜 [30], [39]。该技术通过化学钝化和场效应钝化机制有效抑制了边缘复合。研究表明,采用 AlOx 边缘钝化可使主流半电池组件 (210N, 66 版型组件) 的功率输出提升 5-6 W,相当于相对效率提高了 0.8%–0.9% [40]。尽管钝化效果优异,但 ALD 边缘钝化技术的实际工业应用仍面临许多挑战。以下问题显著延长了其投资回收期 [41], [42], [43], [44]:包括设备昂贵,日运营成本高,沉积温度高 (与镀铜和银镀铜金属化兼容有限),严重的包裹效应,高破损率以及设备占地面积大等。
最近,激光辅助边缘隔离 (LAEI) 技术的出现为抑制边缘复合提供了一种新的解决方案。通过将激光烧蚀和湿法蚀刻结合在前端工艺中,LAEI 去除了电池分割指定区域的 pn 结 [31]。这种方法消除了空间电荷区 (SSCR) 中的复合,该区域占边缘复合的最大比例 [45], [46],从而提高了半电池的效率。先前的研究表明,LAEI 技术可以使 TOPCon 电池切边的绝对效率提高超过 0.21%,并使组件功率提升超过 3 W (M10, 54 版型组件) [31]。目前,行业主要关注以下几个问题:1) LAEI 技术对半切分和四分之一切分电池的效率提升潜力不明确;2) 边缘隔离和边缘钝化协同组合的潜在优势;以及 3) 缺乏对边缘隔离背后物理机制的全面研究。
为解决这些问题,本工作利用 Quokka3 仿真软件建立了多切分 n 型 TOPCon 电池的三维模型。切边处的复合损失被量化为具有特定复合参数的边界条件。通过这些仿真,我们系统地研究了 LAEI 和边缘钝化对半切分和四分之一切分 TOPCon 电池的影响。结果显示,边缘复合是限制多切分电池性能优势的关键因素,而有效的边缘隔离和钝化可以恢复这些架构的潜在收益。此外,LAEI 和边缘钝化的组合通过抑制不同的边缘复合途径并降低对钝化质量的依赖性,提供了一种更稳健的方法。最后,阐明了不同边缘处理策略下切边处载流子复合和传输的物理机制。本研究提出的系统仿真和机制分析为优化边缘处理策略和促进多切分电池架构的进一步发展提供了理论见解。
Wenli Yan|Zunke Liu|Xukai Zhao|Xiaowei Liu|Hongping Jiang|Biao Wu|Zhenhai Yang|Yihui Xie|Lina Ye|Hongwei Kang|Wen Lei|Chenpeng Han|Huan Pu|Yueyue Wu|Mingdun Liao|Wei Liu|Yuheng Zeng|Jichun Ye