SHJ太阳能电池等效界面输运电阻的无损评估:一种用于工艺监测与优化的工程工具

《Materials Science in Semiconductor Processing》:Non-destructive evaluation of equivalent interfacial transport resistance in SHJ solar cells: An engineering tool for process monitoring and optimization

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年10月26日 来源:Materials Science in Semiconductor Processing 5.2

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   •暗电流 - 电压分解提取等效界面传输电阻。•相同加工条件下的重复性≤0.07 Ω cm2。•分辨出不同制造商之间提取残余值约 62% 的差异。•结合 FIB-SEM 的焊剂浸泡测试将退化主要定位在金属/TCO 接触区域。•用于相对过程监控的集总指标,而非本征接触电阻率。引言

  
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    暗电流 - 电压分解提取等效界面传输电阻。
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    相同加工条件下的重复性≤0.07 Ω cm2。
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    分辨出不同制造商之间提取残余值约 62% 的差异。
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    结合 FIB-SEM 的焊剂浸泡测试将退化主要定位在金属/TCO 接触区域。
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    用于相对过程监控的集总指标,而非本征接触电阻率。

引言

硅异质结(SHJ)太阳能电池已成为高效晶体硅光伏领域的领先技术,凭借其高开压、低温度系数和优异的双面性能,占据了全球 8% 以上的市场份额 [1], [2], [3]。随着转换效率的不断提高,串联电阻已成为限制填充因子(FF)和整体器件性能的主要因素 [4]。特别是跨越接触区域的垂直传输——包括 TCO/μc-Si:H 界面、超薄隧穿层和异质结势垒——在载流子提取中起着关键作用,并直接影响器件的电气特性 [5], [6], [7]。因此,快速评估界面传输特性对于 SHJ 工艺优化和工业质量控制变得越来越重要。
接触电阻的定量表征传统上依赖于传输长度法(TLM)和 Cox–Strack 技术 [5], [8]。TLM 通过总电阻与电极间距的线性回归推导接触电阻率 [9], [10], [11],而 Cox–Strack 方法则分析不同直径圆形电极下的电流扩展 [12]。尽管这些方法在理论上严谨,但在 SHJ 架构中面临重大限制。TLM 假设电流局限于单一导电层,然而 SHJ 结构中的 p–i–n 结会在 TCO 和晶体硅基底之间引起分流 [13], [14], [15]。此外,需要单独的 n 型和 p 型测试结构来隔离电子和空穴接触电阻 [6], [16],从而无法在单个完整电池上进行同时评估 [17]。Cox–Strack 方法依赖于近似电流扩散模型,其假设尚未得到完全验证,这使得大直径电极接触电阻和扩展电阻之间的区分变得复杂 [18]。这两种技术都需要表面蚀刻和专用测试图案 [19],限制了它们在实时、非破坏性生产线监控中的实用性 [4], [20]。
近期研究试图通过优化 TLM 结构或定制接触层性能来改进接触电阻率表征。例如,Zogbo 等人 [13] 通过模拟和实验证明,要通过 TLM 准确测量金属/TCO 接触电阻,需要 a-Si:H 激活能为 0.6–1.4 eV,以实现电流在 TCO 层内的有效限制。Bhattacharya 等人 [21] 利用 TLM 优化了 a-Si:H(p) 掺杂浓度和厚度,实现了低至 432 mΩ cm2 的空穴接触电阻率。尽管这些研究加深了对 SHJ 接触传输的理解,但大多数现有方法仍专注于专用测试结构,不易直接应用于完整工业电池的非破坏性表征。此外,随着高度导电的 μc-Si:H 接触层在先进 SHJ 架构中的日益采用 [22], [23], [24],评估完整电池界面传输特性的快速工程化方法变得越来越重要 [25]。
为了弥合实验室表征与生产线需求之间的差距,本工作介绍了一种基于暗电流 - 电压(I–V)特性的非破坏性串联电阻分解方法 [26], [27], [28]。该方法专为工业应用设计,通过从总串联电阻中减去金属栅线、TCO 横向导电、金属/TCO 接触和硅体电阻的已知贡献,来评估完整 SHJ 太阳能电池中的等效界面传输电阻 [29], [30]。剩余项,记为 RSres,,作为异质界面整体载流子传输的工程导向指标。重要的是要注意,该参数并非旨在替代 TLM 测量的本征接触电阻率。相反,它为工艺监控和优化提供了实用的相对度量。
为了验证该方法的可行性和工程适用性,进行了三项与生产相关的测试:改变银浆质量含量(25%、30%、36%)以评估方法重复性;使用相同的银浆配方比较两家不同制造商(C1 和 C2)的电池以评估方法灵敏度;以及通过焊剂浸泡实验研究接触退化过程中的电阻行为,以评估该方法在退化分析和工艺诊断方面的潜力。

章节摘要

串联电阻分解模型

虽然 SHJ 太阳能电池中的载流子传输涉及复杂的多维过程,但主要的串联电阻贡献可以根据主要电流路径近似分解。电流穿过硅基底、异质结传输区、TCO 横向导电层、金属/TCO 接触和金属栅线 [13], [29], [30]。基于此传输路径框架,SHJ 电池的总串联电阻 RStotal 可以

方法的重复性

通过改变银浆中的银质量分数(25%、30% 和 36%)来研究模型的一致性。结果显示,在不同银含量下,指状线的宽度和高度略有不同,导致金属栅线电阻的微小变化。表 1、表 2 分别显示了制造商 C1 和 C2 在不同银含量下的电阻分量。等效界面传输电阻 RSres 范围为 0.923 至 0.980 Ω cm2

结论

本工作提出了一种通过暗 I–V 串联电阻分解评估 SHJ 太阳能电池等效界面传输电阻的非破坏性方法。直接应用于完整的生产电池,该方法在相同加工条件下实现了 RSres 最大偏差仅为 0.075 Ω cm2,而在本数据集中观察到制造商之间约 70% 的显著差异(0.980 对 1.667 Ω cm2)。焊剂浸泡测试进一步证明了其

CRediT 作者贡献声明

Hongbo Li: 写作 – 初稿,方法论,调查,正式分析,概念化。 Fenfen Huang: 写作 – 初稿,验证,调查,数据整理。 Yueting Wen: 写作 – 审阅与编辑,调查。 Wenfeng Liao: 调查。 Haiyan Tu: 写作 – 审阅与编辑,资源。 Xin Fu: 正式分析。 Hongtao Hou: 资源。 Haijun Wang: 资源。 Shenghu Xiong: 监督,资源,项目管理。 Xiaojun Ye: 写作 – 审阅与编辑,

利益冲突声明

作者声明他们没有已知的竞争经济利益或个人关系,这些关系可能影响本论文报告的工作。
Hongbo Li|Fenfen Huang|Yueting Wen|Wenfeng Liao|Haiyan Tu|Xin Fu|Hongtao Hou|Haijun Wang|Shenghu Xiong|Xiaojun Ye
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