镍插层中的电子能带结构重构

《Physical Review Materials》：Electronic band structure reconstruction in Ni intercalated

　　过渡金属二硫族化物（TMDs）中范德华间隙的填充通常会导致晶格和电子不稳定性，预示着丰富现象的涌现。受宏观测量先前结果的启发，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究了过渡金属二硫族化物ZrTe2和Ni插层ZrTe2（Ni?? ZrTe2，??≈0.05）的电子结构。我们在Ni?? ZrTe2中识别出两个平带，很可能与局域化的Ni衍生3??态相关，其结合能分别位于约?0.7 eV和约?1.2 eV。更重要的是，在低温下，我们观察到Ni?? ZrTe2中存在电子结构重构，这使沿????方向的电子周期性减半，类似于波矢为??=(0,0,??)的相称能带折叠。我们建立了一个由带间空穴-空穴相互作用驱动的电荷密度波（CDW）转变的平均场模型，并将实验确定的电子能带结构作为输入参数。理论计算与实验结果的比较揭示了Ni?? ZrTe2中的CDW转变，其能隙在费米能级上方打开。我们的发现为进一步研究插层ZrTe2的结构性质提供了契机。