摘要
砷化铟（InAs）量子点因其狭窄的体相带隙、强烈的量子限域效应以及尺寸可调的光学响应，为红外光电子学提供了一种有前景的无铅、无汞材料平台。然而，表面缺陷、量子点固体中有限的电子耦合以及操作不稳定性，可能会阻碍材料质量的提升转化为器件性能的改善。本综述通过材料-界面-器件性能框架来审视InAs量子点。我们首先讨论合成控制、核/壳异质结构、配体交换和表面重构如何影响界面电子态和载流子动力学。然后，我们分析太阳能电池、量子点发光二极管、红外光电探测器和场效应晶体管中的器件特定性能与权衡，重点关注电荷注入与提取、陷阱辅助损耗、噪声和稳定性。最后，我们指出在接触工程、可靠的性能基准测试、可扩展薄膜制造以及先进红外器件架构方面的新兴机遇。这一面向器件的视角强调了协调的界面工程在连接纳米晶体特性与功能性光电子性能方面的作用。
