纳米结构Cu(II)吡喃喹啉配合物的电子结构与光电性能:面向温度传感与光电探测的密度泛函理论(DFT)研究

《RSC Advances》:Electronic structure and optoelectronic performance of a nanostructured copper(ii) pyranoquinoline complex: DFT insights for temperature-sensing and photodetection applicationsOpen Access

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年11月02日 来源:RSC Advances 6.1

编辑推荐:

  多功能有机–无机材料是下一代光电子器件的有前景候选材料。本研究报道了一种铜基吡喃喹啉配合物Cu(HMDPQ)的设计、表征及器件应用,该配合物具有增强的光电性能。结构分析证实其呈方形平面几何构型并具有双齿氧配位。采用6-311G(d,p)基组的密度泛函理论(DF

  
多功能有机–无机材料是下一代光电子器件的有前景候选材料。本研究报道了一种铜基吡喃喹啉配合物Cu(HMDPQ)的设计、表征及器件应用,该配合物具有增强的光电性能。结构分析证实其呈方形平面几何构型并具有双齿氧配位。采用6-311G(d,p)基组的密度泛函理论(DFT)计算支持了实验结果,揭示其能隙为2.86 eV,并表现出显著的非线性光学(NLO)响应,该响应归因于有效的分子内电荷转移(ICT)。薄膜显示均匀形貌,平均晶粒尺寸为80.3 nm,表面粗糙度低(~8.5 nm),有利于电荷传输。光学研究揭示双重直接带隙(1.81和1.93 eV)、强蓝光发射以及由金属–配体相互作用产生的低能跃迁。金属/有机/半导体异质结表现出整流行为、低暗电流(~1.6 × 10?8 A cm?2)、约1.05 eV的势垒高度(Φb)、3.7 × 10?2 A W?1的响应度(R)和5.2 × 1011 Jones的比探测率(D*),显示出其在光电探测器和温度传感应用中的潜力。
吡喃[3,2-c]喹啉类含氮杂环因刚性稠环结构、化学稳定性和可调电子性质而受到关注,其扩展π共轭框架和结构修饰潜力与功能有机材料及光电子研究相关;与过渡金属离子配位可进一步改变电子结构和光学响应,但所得性质取决于配体环境和配位几何。现有研究对吡喃喹啉基Cu(II)配合物分子特征与其实验光电行为之间的关系仍理解有限。为此,研究人员以4-羟基-6-甲基-2,5-二氧代-5,6-二氢-2H-吡喃[3,2-c]喹啉-3-甲醛(HMDPQ)为配体制备Cu(HMDPQ)配合物,将DFT计算与实验表征及电学评价结合,考察优化分子结构、前线分子轨道(FMO,参与电子给予/接受的轨道)、HOMO–LUMO能隙、分子静电势(MEP)和NLO参数,并制备Au/Cu(HMDPQ)/n-Si/In异质结,在暗态和100 mW cm?2光照下、300–425 K范围内进行电流密度–电压(J–V)测量,分析温度依赖二极管参数、R和D*。研究结论表明该配合物具有方形平面双齿氧配位、2.86 eV理论能隙和显著NLO响应,薄膜具有均匀形貌、平均晶粒80.3 nm和低粗糙度(~8.5 nm),光学上呈1.81和1.93 eV双重直接带隙及强蓝光发射,异质结呈整流行为、低暗电流(~1.6 × 10?8 A cm?2)、约1.05 eV势垒高度、3.7 × 10?2 A W?1响应度和5.2 × 1011 Jones比探测率,显示光电探测和温度传感应用潜力;其意义在于将分子设计、薄膜形貌和界面能级关联起来,为铜基有机–无机光电子体系提供系统评估。

方法概括(不超过250字):研究人员采用元素分析、摩尔电导、磁化率、质谱、红外光谱(IR)、紫外–可见光谱(UV-vis)、电子自旋共振(ESR)和热重/微分热重(TGA/DTGA)表征配合物;用Gaussian 09进行DFT计算,非金属原子采用6-311G(d,p)基组,Cu中心采用Stuttgart/Dresden(SDD)有效核势;以真空热蒸发制备薄膜,用扫描/透射电子显微镜(SEM/TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)映射、光致发光(PL)和UV-vis-NIR及Tauc分析研究形貌与光学性质;制备Au/Cu(HMDPQ)/n-Si/In异质结并进行暗/光照J–V及温度依赖测量。本研究未涉及样本队列来源。

研究结果:3.1 红外光谱(IR)分析:通过比较HMDPQ与Cu(HMDPQ)的IR,醛基ν(C=Oald)位移及双齿硝酸根特征表明醛氧和氧供体参与Cu(II)配位。3.2 质谱分析:m/z 395等碎片峰与预测碎裂途径一致,支持金属–配体配位框架完整;铜同位素归属因缺乏高分辨质谱而仍为暂定。3.3 电子光谱与磁矩测量:UV-vis去卷积显示配体中心跃迁及约420.6 nm的配体–金属电荷转移(LMCT,配体向金属的电荷转移),磁矩1.70 B.M.与d9 Cu(II)一致,但不能单独确认方形平面。3.4 ESR谱:室温X波段固体ESR呈单一宽各向同性信号,giso=2.11,提示Cu–配体键具有明显共价性和轨道贡献。3.5 热分析:TGA/DTGA显示半分子乙醇、HNO3及CO/CH3N/C10H5O片段等多步失重并形成CuO残渣;Coats–Redfern法给出各步Ea、ΔH、ΔS、ΔG,ΔH为正、ΔS为负、ΔG为正。3.6 DFT计算:3.6.1 FMO分析显示Cu(HMDPQ)能隙2.86 eV,低于配体3.83 eV,配位后HOMO/LUMO分布重排;3.6.2 全局反应描述符显示配合物硬度降低、电负性和亲电性改变、总偶极矩略增;3.6.3 MEP分析显示酚氧和侧链氧为负电势区,Cu配位后表面电势重新分布;3.6.4 NLO性质显示平均极化率由115.38增至154.32 a.u.,βtot为136.69 a.u.(配体162.52 a.u.),均显著高于尿素。3.7 形貌与晶体结构:SEM及图像统计显示薄膜致密连续,平均晶粒80.3 nm、RMS粗糙度~8.5 nm;HRTEM显示5–25 nm准球形纳米晶,SAED呈多晶且部分织构,EDS显示C、N、O、Cu均匀分布。3.8 去卷积PL:PL谱覆盖~380–750 nm,蓝光423–454 nm组分归因于π→π*/配体–配体电荷转移(LLCT)及S1→S0,绿黄500–565 nm组分归因于金属–配体电荷转移(MLCT,金属向配体)、LMCT、T1→S0和缺陷复合,Cu重原子增强系间窜越(ISC)。3.9 光吸收与能隙:由dT/dE、Tauc图和ln(αE)–ln(E?Eg)分析得双重直接带隙1.81和1.93 eV,斜率m≈0.5;摩尔消光系数谱解析出四个振荡带,强振子强度和跃迁偶极矩表明高效光捕获。3.10 电荷传输动力学与热电子发射:Au/Cu(HMDPQ)/n-Si/In异质结J–V显示整流行为,正偏电流随温度升高而增大,反偏电流低而近饱和;热电子发射(TE)模型用于提取Φb和有效Richardson常数,热激活输运占主导。3.11 整流比:整流比(RR)随温度升高而增强,约400 K、0.93 V时最大约580,更高偏压或温度下因串联电阻和反偏电流增加而下降。3.12 温度依赖串联与并联电阻:Rs由302 K的1.54 × 106 Ω降至425 K的3.24 × 103 Ω,Rsh由1.24 × 108 Ω降至8.10 × 105 Ω,反映热激活导电和漏电通道增加。3.13 温度依赖理想因子与势垒不均匀性:Φb由1.011 eV降至0.738 eV,理想因子由2.33升至3.85并波动至4.42;Φb–n反相关及外推n=1得均匀势垒约1.05 eV,表明界面势垒呈不均匀分布并存在陷阱辅助等输运。3.14 界面工程光响应与高灵敏光电探测:暗态J约1.6 × 10?8 A cm?2,光照下?2 V光电流约3.7 × 10?6 A cm?2,R最大3.7 × 10?2 A W?1,D*达5.2 × 1011 Jones,优于文中比较的B-SubPcCl/n-Si、PMPQ/n-Si和PQMAP/n-Si等体系。

讨论部分总结:研究人员将Cu(HMDPQ)薄膜形貌与相关铜基及混合薄膜比较,认为80.3 nm平均晶粒和~8.5 nm RMS粗糙度在晶粒尺寸与粗糙度间取得平衡;HRTEM/SAED/EDS结果支持纳米晶限域、部分织构和元素均匀性。PL的多通道发射归因于配体内和金属–配体电荷转移通道共存。光学双带隙与salen、ACPEHQ、MDTPC等薄膜比较,显示可见区平衡双带隙和较高摩尔消光系数。异质结分析表明热激活输运、界面势垒不均匀和温度可调整流共存;光探测性能归因于能级匹配、形貌改善和界面优化。研究指出长期稳定性和光谱选择性仍需进一步研究。

研究结论翻译:本研究旨在设计、表征并评估一种铜(II)基吡喃喹啉配合物作为先进光电子应用的多功能材料,重点关注其结构、光学和光电探测性能。综合实验与理论分析证实配体以双齿方式配位,形成具有良好热稳定性和明确分解动力学的方形平面Cu(II)配合物。DFT计算支持实验发现,并揭示2.86 eV的HOMO–LUMO能隙和显著NLO响应,表明有利的电子极化和电荷转移特性。薄膜研究显示均匀形貌,平均晶粒尺寸80.3 nm和低表面粗糙度(~8.5 nm),表明缺陷密度降低和有效电荷传输路径。光学测量揭示由金属–配体轨道相互作用产生的1.81和1.93 eV双重直接带隙,以及强蓝光发射(423–454 nm)和额外低能贡献,证实有效辐射复合和稳定激发态行为。器件集成到金属/有机/半导体异质结产生清晰整流特性、低暗电流(~1.6 × 10?8 A cm?2)和理想条件下接近1.05 eV的势垒高度。光照下器件实现3.7 × 10?2 A W?1的响应度和5.2 × 1011 Jones的比探测率,表明高灵敏度和良好信噪性能。本工作的新颖性在于关联分子设计、薄膜形貌和界面能级,以在混合结构中实现增强的光电探测效率。这些发现推进了对铜基有机–无机系统的理解,并突出其在低光和近红外传感应用中的潜力。虽然长期稳定性和光谱选择性需要进一步研究,但当前结果为进一步材料优化建立了稳固框架。总体而言,本研究证明靶向配位化学结合界面工程为高性能混合光电探测器提供了有效途径。
相关新闻
生物通微信公众号
微信
新浪微博

热点排行

    今日动态 | 人才市场 | 新技术专栏 | 中国科学人 | 云展台 | BioHot | 云讲堂直播 | 会展中心 | 特价专栏 | 技术快讯 | 免费试用

    版权所有 生物通

    Copyright© eBiotrade.com, All Rights Reserved

    联系信箱:

    粤ICP备09063491号