半导体金属氧化物最有趣的应用之一是它们可以被外部元素掺杂,这可以显著改变它们的导电性。用特定元素掺杂某些金属氧化物可以改善其电学性能,使其适用于各种电子应用[[1], [2], [3], [4]]。在这种情况下,材料的行为在很大程度上取决于其周围环境的特性[[5], [6], [7], [8]]。液晶(LCs)也因其独特而有趣的光学和电学性能而受到广泛研究,这些性能在显示技术、光学设备和传感器中非常有用[[8], [9], [10], [11], [12], [13]]。最近的研究中,向液晶中添加纳米颗粒作为一种改变和改善其物理性能的方法引起了广泛关注。已经对掺杂了各种纳米材料(包括金属、半导体、铁电体和碳纳米管)的液晶的光学、电学和介电性能进行了大量研究[[14], [15], [16], [17], [18], [19], [20], [21], [22], [23], [24]]。
辉光放电(Glow discharge)是指在减压条件下,通过施加电场使气体电离而形成的非平衡等离子体状态。当施加的电场超过气体的电离阈值时,就会发生这种现象,从而产生由带电粒子和中性粒子(包括电子、离子和中性分子)组成的准中性等离子体。在此过程中会出现特征性的发光区域,如阴极辉光、暗区和正柱,每个区域都与不同的能量分布和反应机制相关。由于其低热能和显著的化学活性,辉光放电被广泛应用于各种材料处理技术中,包括表面改性、薄膜制备以及先进的分析方法,如辉光放电光学发射光谱(GDOES)和质谱(GDMS)。它能够在不改变材料整体结构的情况下改变表面性质,因此在纳米材料工程、界面调控和增强粘附力方面具有显著优势。在材料科学领域,辉光放电为在纳米尺度上修改表面功能提供了一个强大且可控的平台[[25], [26], [27], [28], [29], [30], [31], [32]]。特别是,氧等离子体处理已被证明可以改变纳米颗粒的表面电荷分布和化学组成,从而提高它们的胶体稳定性并改善其与液晶分子的相互作用。
尽管关于纳米颗粒-液晶(LC)复合体的研究非常广泛,但氧等离子体处理的SnO2和Mn2O3纳米颗粒对液晶介电行为的具体影响尚未得到充分阐明。为了解决这个问题,本研究将这些纳米颗粒暴露在变化电流的氧等离子体中,处理时间分别为2分钟、7分钟和14分钟。研究重点关注等离子体处理如何改变颗粒大小、表面结构和化学功能,以及这些变化如何影响它们与液晶环境的相互作用。理解这些关系对于调节液晶系统的介电各向异性至关重要。本研究的结果不仅增强了人们对等离子体改性纳米颗粒-液晶相互作用的基本认识,还突显了它们在改进电子和光子器件所用材料性能方面的重要性。