在硅纳米颗粒表面，通过室温条件下的化学方法引发硅烷的脱氢偶联反应

《Nanoscale》：Room temperature sonochemically-initiated dehydrogenative coupling of silanes on silicon nanoparticle surfaces

　　脱氢偶联提供了一种在分子系统和硅表面上形成Si–Si键的便捷方法。大多数程序需要使用过渡金属催化剂，这可能会因为成本和污染问题而限制其应用——特别是在考虑硅纳米颗粒（SiNPs）时。我们展示了一种无催化剂的方法，该方法利用超声浴和自由基引发剂在室温下驱动脱氢偶联反应，以功能化SiNP表面。这种方法对所有测试的硅烷类型都具有耐受性，包括伯烷基和芳基硅烷、仲烷基和叔烷基硅烷，并且提供了与标准催化系统相当的反应性（即表面覆盖率约为10%），同时保持了SiNP的光致发光响应。令我们惊讶的是，这种新的功能化方法是首次报道的能够控制合成非晶态SiNPs的方法。

引言

硅是电子工业的主力材料，其独特的纳米级特性持续吸引着大量的关注。硅纳米颗粒（SiNPs）的可调光致发光和生物相容性使得它们在许多原型应用中得到应用，包括生物成像、能量存储、药物输送和柔性电子器件。然而，如果暴露在环境条件下，SiNPs的特性可能会受到影响。最常见的解决方法是通过钝化/功能化来保护它们的表面。这样做可以使硅表面抵抗环境因素，根据表面基团的不同，还可以赋予溶剂兼容性和反应性，并显著影响发光性能。

最常用的调整硅表面化学性质的方法是利用硅氢化反应，该反应在多个键（例如碳-碳双键和三键、酮和醛中的CO键等）上正式添加Si–H键。硅氢化反应可以通过光化学、热化学、声化学或催化方法引发。为了扩展底物的范围，除了Si–C键之外，考虑其他类型的反应（如脱氢偶联）也是有益的。分子脱氢偶联已经研究了超过一个世纪。硅-硅键的形成涉及两个Si–H键的断裂，并伴随着H2的释放。众所周知，这种反应受到硅中心取代程度的影晌，取代基数量的增加会降低反应性。脱氢偶联也被扩展到硅表面化学中。硅晶片已在热活化条件下（即80°C）用伯烷基硅烷进行了功能化。多孔硅表面也使用锆茂催化剂通过反应进行了改性。在这些条件下，发现芳基硅烷的反应性最强，同时也可以在表面上接枝烷基硅烷。我们还使用了Wilkinson催化剂来促进硅纳米颗粒（SiNP）表面的脱氢偶联，然而SiNPs的发光性能受到了微量金属杂质的损害。实现一种无催化剂的方法来促进SiNP表面的脱氢偶联，同时保持材料的光学性质，显然是一个有吸引力的目标，特别是如果能够扩展底物的范围（例如到目前方法无法反应的仲烷基和叔烷基硅烷）而不降低反应性的话。超声技术作为一种便捷的室温方法，已被用于在SiNP表面上引发硅氢化反应，它有可能在没有金属催化剂的情况下激活脱氢偶联。超声会产生声空化气泡，产生极端的温度和压力区域（即5000 K和1000 bar）。在这里，我们介绍了我们在室温下通过声化学引发硅烷在SiNP表面进行脱氢偶联的研究。

材料

硫酸（试剂级，95–98%）从Caledon Laboratory Chemicals购买。氢氟酸（HF；电子级，48–50%）从Fisher Scientific购买。十二烷基硅烷（>95%）、二异丙基硅烷（>95%）和三辛基硅烷（>95%）从Gelest购买。发烟硫酸（试剂级，20%游离SO3）和三氯硅烷（99%）、甲苯（HPLC级）、甲醇（试剂级）、乙醇（100%，试剂级）、2,2′-偶氮二(2-甲基丙腈）（98%）、1-十二烯（95.0%）和苯（无水，99.8%）从Sigma Aldrich购买。使用配备N2作为操作气体的PureSolv纯化系统（Innovative Technology, Inc.）制备了干燥的甲苯。通过三次冷冻-泵-解冻循环和添加活化分子筛，制备了无空气和水的试剂（1-十二烯、甲醇）。除非另有说明，否则所有试剂和溶剂均按接收时的状态使用。

氢硅氧烷的制备

氢硅氧烷（HSQ）是使用改进的文献程序合成的。简要来说，在一个用氩气 purged 的三颈圆底烧瓶中，准备了浓缩硫酸（70 mL）和发烟硫酸（32.5 mL），并配备了加料漏斗和特氟龙涂层的搅拌棒。然后通过加料漏斗向酸中加入干燥的甲苯（210 mL），形成两层。准备了干燥的甲苯（510 mL）和三氯硅烷（75 mL）的混合物，并逐滴加入酸-甲苯混合物中。分离出甲苯层，并用33% v/v的硫酸水溶液洗涤。有机层然后在固体MgSO4和CaCO3上干燥12小时，随后在11,000 RPM下离心（12,739g）并吸滤以去除多余的固体。最后，使用旋转蒸发去除溶剂，并在真空下干燥，得到约20克白色固体（产率66%）。HSQ在黑暗中真空保存，直到使用。

SiNP/SiO2复合材料的制备

SiNPs是通过HSQ的热分解反应制备的，使用我们实验室开发的成熟程序。将HSQ（约3克）在氧化钇稳定的氧化锆舟（Almath Crucibles, Ltd）中，在标准实验室管式炉（SentroTech, STT-1600C）中加热至1100、1200或1300°C，在Ar气流下，得到含有约3、6和9纳米Si(0)包裹体的SiNP/SiO2复合材料。然后使用玛瑙研钵和杵机械研磨复合材料，接着在约300毫升的无水乙醇中与玻璃珠一起振荡12小时。过滤和干燥后得到细小的棕色粉末。

氢化物终止的Si纳米颗粒的制备

将SiNP/SiO2复合材料（约500毫克）分散在1:1:1的乙醇:蒸馏水:48%氢氟酸（总体积15毫升）混合物中，在PET烧杯中用特氟龙涂层的搅拌棒搅拌约1小时。向蚀刻混合物中加入甲苯（约毫升）以回收疏水性的氢化物终止的硅纳米颗粒（H-SiNPs）。分离出甲苯层，随后在3500 RPM（1300g）下离心，分离出清澈无色的甲苯层，橙色颗粒再用新鲜甲苯（2 × 5毫升）洗涤两次，并在每次离心后回收。这些H-SiNPs在纯化后立即用于功能化反应（见下文）。

声化学脱氢偶联程序

在典型的反应中，一个标准的微波反应瓶（Biotage Product 354 833）中装入干燥的甲苯（约4毫升）和所选的硅烷（约0.2毫升），并用隔膜盖（Biotage Product 352298）密封，在充满Ar气的手套箱中。将密封的反应瓶从手套箱中取出，然后通过注射器转移加入H-SiNPs悬浮液（约25毫克）在干燥的甲苯（1毫升）中。随后，将所选的自由基引发剂（例如100毫克的2,2′-偶氮二(2-甲基丙腈）（AIBN）或150毫克的过氧化苯甲酰）溶解在1毫升干燥的甲苯中，并转移到反应瓶中。然后将反应瓶放入标准超声浴（Fisher Scientific, FS125）中，以42 kHz的频率处理24小时。使用水循环系统（Thermo Scientific, Neslab RTE 7）在整个反应过程中保持水位和浴温在25°C。然后将密封的反应瓶从超声浴中取出，内容物直接转移到离心管中。向离心管中加入甲醇（约5毫升）以诱导功能化SiNPs的沉淀，通过11,000 RPM（12,739g）离心20分钟以分离出固体产物。然后将功能化的SiNPs重新分散在干燥的甲苯（约1毫升）中，不进行超声处理，然后加入甲醇（约5毫升）以诱导沉淀。这个分散/离心过程重复两次。纯化的功能化颗粒（约25毫克）随后在最少量的苯（约1毫升）中分散，并在冷冻干燥后进行FT-IR、TGA、XPS和STEM表征。

傅里叶变换红外光谱

用于FT-IR分析的氢终止和功能化的SiNPs样品是通过从干燥的甲苯悬浮液中滴铸到硅晶片上制备的。蒸发溶剂后，使用配备显微镜的Thermo Nicolet 8700 FT-IR光谱仪获取光谱。

热重分析

热重分析使用PerkinElmer Pyris 1系统在流动的Ar气氛中进行。样品通过将功能化的SiNPs（约2–5毫克）装入铂盘中，在20–700°C的范围内以10°C/min的速率加热来制备。表面覆盖率是根据TGA质量损失数据估算的，如SI中所述。

X射线粉末衍射

粉末样品放置在零背景的Si(100)晶片上，并在Bruker D8 Advance粉末衍射仪中分析，使用SSD160探测器和Cu辐射源（Kα1 = 1.54056 ?），操作在40 kV和40 mA下。X射线光电子光谱

X射线光电子光谱（XPS）使用Kratos Axis 165 Ultra X射线光电子光谱仪进行，配备单色Al Kα辐射源（1486.6 eV），操作在210 W下。高分辨率光谱使用20 eV的分析器通能和0.1 eV的步长测量。对于扫描光谱，使用160 eV的通能和0.5 eV的步长。光谱使用C 1s 284.8 eV进行校准，使用偶然存在的碳作为参考。

扫描/透射电子显微镜

扫描/透射电子显微镜（S/TEM）图像是在JEOL JEM-ARM200CF显微镜上收集的，使用冷场发射枪源。图像是在200 kV的加速电压下收集的。TEM样品是通过将稀释的SiNPs悬浮液滴在多孔或超薄镀碳的铜网格上制备的（Electron Microscopy Inc.）。装有样品的网格在真空室中保持至少24小时，基压为0.2 bar，然后收集数据。

光致发光测量

光致发光（PL）光谱是通过使用氩离子激光的352和364纳米线激发样品，并使用连接到Ocean Optics USB 2000+光谱仪的光纤收集发射光来获得的。使用425纳米的长通滤光片（LPF）消除来自激发源的散射光。样品通过将固体分散在甲苯中直到混合物基本清澈（约2毫克/毫升），然后转移约4毫升到1厘米×1厘米的石英比色皿中制备。

结果与讨论

在本报告中，通过HSQ的热处理合成了具有定义直径的SiNPs（即3纳米和6纳米）。这种成熟的程序产生了含有明确Si(0)纳米包裹体的二氧化硅复合材料，这些包裹体在乙醇氢氟酸蚀刻后从氧化物基质中释放出来。所得到的氢终止的SiNPs（即H-SiNPs）通过声化学引发的脱氢偶联进行了功能化。对反应产物进行了表征，以评估所得表面的性质（即功能化的身份和程度）、SiNP核心的结晶度、表面氧化程度和光学性质。所有H-SiNPs都是橙色/琥珀色的固体，并且与常见的有机溶剂的兼容性较差。新鲜蚀刻的6纳米H-SiNPs的FT-IR光谱（图1a）代表了所有纳米颗粒起始材料，显示出在2100 cm?1处的明显Si–H伸缩带。我们还注意到在1000 cm?1附近有一个相对较弱的Si–O–Si伸缩特征，我们认为这是由于样品处理过程中环境暴露引起的轻微氧化。H-SiNPs有限的溶剂兼容性阻碍了电子显微镜的有效样品制备，并限制了这些方法的实用性。图1

(a) H-SiNPs（上）和十二烷基硅烷修饰的SiNPs（下）的FT-IR光谱。(b) 十二烷基硅烷-NPs的TGA曲线。(c) H-SiNPs、十二烷基硅烷-NPs以及计算得到的块状Si的XRD图谱。(d) 十二烷基硅烷-SiNPs的明场TEM图像。正如预期的那样，H-SiNPs在基于甲苯的硅烷溶液中形成了不透明的悬浮液。在自由基引发剂存在下超声处理24小时后，反应混合物的外观发生了显著变化，表明SiNPs与有机溶剂的相容性提高了。这一观察结果与之前的脱氢偶联纳米粒子功能化研究（图S1）一致，并可以定性归因于H-SiNPs与硅烷之间的反应所引起的表面改性。

为了确定反应程度，我们首先使用了FT-IR光谱技术。为了方便讨论，我们将重点介绍6纳米H-SiNPs与十二烷基硅烷在室温下超声处理24小时后的代表性结果。3纳米SiNPs的类似结果见补充信息（SI）。对于短反应时间，或者没有使用自由基引发剂的反应混合物，没有证据表明发生了功能化（例如FT-IR、TGA等结果，见图S3）。FT-IR光谱（图1a）在2900 cm?1处显示出一个尖锐的特征峰，这与C–H键的伸缩振动一致；而在2100 cm?1处的Si–H键伸缩振动明显减弱，这都表明了表面发生了功能化。大约1000 cm?1处的Si–O–Si特征峰与环境氧化引起的有限氧化一致。这些光谱特征，加上溶剂相容性的变化，都与硅烷的表面接枝现象相符。TGA数据（图1b）也支持了成功的表面功能化，表明表面覆盖率为约6%（具体计算细节见SI）。这一功能化程度与其他关于茂金属催化的硅表面脱氢偶联反应的报告一致（例如，十八烷基硅烷和己基硅烷分别导致3%和8%的表面覆盖率）。

接下来，我们关注SiNPs的物理完整性，使用粉末X射线衍射（XRD）技术研究了它们的结晶性（图1c）。结果表明，功能化后Si的特征反射峰明显变宽，这与非晶化现象一致。SiNP结晶性的降低可能有多种原因。例如，SiNP表面可能形成了非晶态的硅烷聚合物层，SiNPs可能发生了氧化，或者可能发生了涉及表面连接的硅烷与核心之间的反应。TGA分析中观察到的相对较低的质量损失排除了形成表面结合的硅烷基聚合物的可能性；尽管FTIR和XPS光谱中有表面氧化的证据（见下文），但目前的观察结果与其他功能化方法一致。此外，当在相同条件下进行脱氢偶联反应但缺少一种反应物（即没有硅烷或自由基引发剂）时，SiNP的结晶性得以保持（见图S2）。这些观察结果表明，硅烷的表面接枝会降低颗粒的结晶性。鉴于结晶性的损失，我们进一步研究了颗粒形态是否也受到了影响。明场TEM成像（图1d）显示颗粒严重聚集，这与SiNPs与溶剂的相容性差相符。尽管如此，仍然可以观察到完整的颗粒簇，以及簇边缘的完整颗粒，表明起始材料的形态得到了保留（见图S4）。为了确认功能化SiNPs的组成和硅的氧化状态，进行了XPS分析。扫描XPS光谱（图S5）证实SiNPs仅由Si、C和O组成，含有微量（约1%）的F。图2a展示了用十二烷基硅烷和AIBN超声处理后的H-SiNPs的Si 2p区域的高分辨率光谱。基于已知的硅氧化状态对光谱进行标准拟合后，发现Si(0)的贡献最大（26原子%，中心位于99.5 eV），其次是Si(i)（4原子%，中心位于100.5 eV）和Si(iii)（17原子%，中心位于102.5 eV），以及占主导地位的Si(iv)（53原子%，中心位于103.4 eV）。这些结果与上述观察和分析一致，我们可以得出结论，与其它功能化方法（例如氢硅化）相比，所制备的SiNPs经历了更多的氧化，这与较低的表面覆盖率相符。

图2

(a) 用AIBN超声处理24小时的6纳米十二烷基硅烷SiNPs的高分辨率Si 2p XPS光谱。为清晰起见，省略了Si 2p1/2的包络线。(b) 用AIBN超声处理24小时的3纳米（紫色）和6纳米（黑色）十二烷基硅烷-SiNPs的归一化光致发光光谱。我们之前已经证明，硅纳米粒子表面的非晶壳层会影响光致发光。观察这里制备的硅烷-SiNPs的光致发光光谱（图2b），我们发现具有无序核心的小颗粒显示出与使用其他方法功能化的SiNPs相似的光致发光最大值（λmax = 610 nm）和带宽（140 nm）。观察含有更有序核心的6纳米颗粒的光谱（图2b），我们发现其光致发光最大值（λmax = 752 nm）与使用标准氢硅化方法修饰的SiNPs一致，但带宽有所扩大（即194 nm vs. 约175 nm），这可能是由于它们逐渐非晶化的特性所致。

硅烷取代效应

观察到与初级烷基硅烷的反应性后，我们扩大了试剂的范围。硅烷的取代对其反应性有显著影响——在之前的研究中，芳基和烷基初级硅烷在多孔硅表面的覆盖率不同（即14% vs. 3%），其中芳基硅烷在多孔硅上的反应性更强。我们选择测试苯基硅烷的反应性，并将其置于与十二烷基硅烷相同的声化学脱氢偶联条件下。结果如图3所示。FT-IR光谱（3a）显示在约2950 cm?1和1400 cm?1处有CHx键的伸缩和弯曲振动，在2100 cm?1处有Si–H键的伸缩，在约1090 cm?1处有Si–O–Si键的伸缩。这些特征与少量苯基硅烷存在于部分氧化的Si–H表面一致；这一结论也得到了TGA（3b）测得的5%表面覆盖率的支持。这些结果与我们的代表性烷基硅烷的结果相当，因此我们得出结论，芳基和烷基硅烷的反应性与当前的声化学方法相当。

图3

(a) 在AIBN存在下超声处理24小时的6纳米苯基硅烷-SiNPs的FT-IR光谱和(b) TGA曲线。接下来，我们研究了二级和三级硅烷的反应性，因为在分子系统中，这些试剂在其初级类似物的使用条件下的反应性较低。我们选择了二异丙基硅烷和三辛基硅烷作为二级和三级硅烷的代表，并将它们置于与初级硅烷相同的反应条件下，结果如图4所示。FT-IR确认两种样品中都存在2900 cm?1和1400 cm?1处的C–Hx键吸收。在2100 cm?1处也观察到残余的Si–H键伸缩，在1000 cm?1处存在Si–O–Si键伸缩。TGA（图4b）显示两种硅烷的表面覆盖率与十二烷基硅烷相似，约为8%。与芳基与烷基的情况一样，我们没有观察到反应对所用硅烷的显著依赖性，因为二级和三级硅烷都导致了与初级硅烷相似的表面覆盖率，这与分子催化系统不同。我们还观察到二级和三级系统中结晶性的损失，相应的XRD和PL光谱见补充信息（图S6和S7）。

图4

(a) 用AIBN超声处理24小时的6纳米二异丙基（蓝色）和三辛基（红色）功能化SiNPs的FT-IR光谱和(b) TGA曲线。(c) 二异丙基-和(d) 三辛基-功能化6纳米SiNPs的XPS光谱。(c) 和(d) 分别展示了二级和三级硅烷-SiNPs的高分辨率Si 2p XPS光谱。拟合的光谱包络线显示与初级硅烷相比，Si(iii)的比例更高（即17原子%）。二异丙基功能化的SiNPs中Si(iii)占27原子%，而Si(iv)和Si(ii)的比例分别为3原子%和11原子%，Si(i)占55%；三辛基硅烷功能化的SiNPs中Si(iii)占49原子%，Si(iv)占40原子%。这些XPS光谱与部分氧化的颗粒一致；然而，氧化并不是由传统的SiO2主导的组成。由于多种硅烷都表现出反应性，比较当前声化学方法与其他高温（即80°C）无催化剂脱氢耦合方法在修饰硅表面方面的有效性是很重要的。图5展示了在80°C下将十二烷基硅烷、二异丙基硅烷和三辛基硅烷与H-SiNPs加热后得到的产物的FT-IR和TGA图谱。十二烷基硅烷的热反应导致的功能化程度与当前的声化学方法相当，表面覆盖率为约8%，FT-IR光谱中也出现了预期的峰（即C–Hx、Si–H、Si–O–Si）。相比之下，其他两种硅烷在FT-IR光谱中没有C–Hx键伸缩峰，TGA显示质量损失可以忽略不计，因此我们得出结论没有发生功能化。此外，XRD光谱（图S8）显示十二烷基硅烷-SiNPs和二异丙基硅烷-SiNPs保持了它们的结晶性，这与声化学样品不同。因此，声化学反应能够使硅烷发生功能化，而热反应则不能；并且在初级硅烷的情况下也能达到相似的覆盖率。此外，它还能形成非晶态的SiNPs，这与通过热反应制备的纳米颗粒不同。

图5

(a) 在80°C下处理的十二烷基（黑色）、二异丙基（蓝色）和三辛基（红色）功能化6纳米SiNPs的FT-IR光谱和(b) TGA曲线。为了解释二级和三级硅烷的反应性，我们考虑了反应机制及其与热方法的潜在差异。声化学反应需要自由基引发剂才能在研究的时间范围内进行，因此机制必须涉及自由基的激活。单独使用超声处理确实可以产生自由基，但自由基的浓度不足以激活硅烷。添加自由基引发剂可以通过提供更多的自由基来满足反应的阈值，这些自由基在超声条件下被激活。相比之下，热激活方法在无自由基引发剂的情况下在较高温度下进行，添加自由基引发剂并没有带来任何好处，仍然需要24小时才能实现显著的功能化。我们提出，这里展示的声化学反应是通过图6所示的机制进行的。表面Si–H/Si–Si键和硅烷Si–H键通过空化气泡破裂或自由基引发剂的参与而断裂，产生的自由基反应形成Si–Si键，将硅烷连接到颗粒表面（图6a）。然后，表面连接的硅烷上的Si–H键可以进一步断裂，产生自由基并传播（如果硅烷是二级或初级），从而形成不同的表面连接（图6b）。如果没有可接近的邻近Si–H位点，这种传播就会终止。这种机制和相关的表面键合解释了为什么脱氢偶联的硅烷相比氢硅化的烯烃具有较低的表面覆盖率——与初级硅烷的表面反应可能会消耗多达三个Si–H位点，而更取代的硅烷由于其空间体积较大而阻止了表面反应。

(a) 自由基引发的硅烷声化学脱氢偶联和(b) 与二级和/或初级硅烷反应在表面形成多个Si–Si键。为了清晰起见，省略了空化气泡引起的键断裂过程，但这可能替代了任何所示事件中引发剂的作用。这种机制理解与‘过蚀刻’SiNPs的反应性一致。对于6纳米和9纳米的颗粒，过蚀刻去除了无序的表面，暴露出几乎有序的核心，这将具有更少的缺陷和Si–Hx反应位点。如果所提出的机制是准确的，人们可以预期这种表面的反应性会较低。使用十二烷基硅烷与过度蚀刻的6纳米SiNPs（最终直径3纳米）进行的声化学脱氢偶联反应与这一假设一致，导致表面覆盖率为2%（图S11），低于传统蚀刻颗粒的覆盖率（5%）。为了探索不同自由基来源的影响，并支持这种反应性确实基于自由基，实验使用了过氧化苯甲酰作为自由基引发剂进行声化学脱氢偶联，过氧化苯甲酰是一种与AIBN具有相似反应性的常见自由基引发剂。观察到的反应性与AIBN相当，在傅里叶变换红外光谱（FT-IR）中没有显著差异，通过热重分析（TGA）得到的表面覆盖率为8%（图7）。

图7

(a) 在过氧化苯甲酰存在下，十二烷基（黑色）、二异丙基（蓝色）和三辛基（红色）功能化6纳米SiNPs经过24小时超声处理后的FT-IR光谱；(b) TGA曲线。

结论

已经证明，在室温下使用超声波处理可以成功地对氢化物终止的硅纳米颗粒进行功能化。通过FT-IR和TGA确认，与之前在硅表面进行的脱氢偶联实验相比，使用一级硅烷（无论是烷基还是芳基）获得了相当的反应性，表面覆盖率约为7%。令人惊讶的是，功能化颗粒表现出结晶度的损失，从而形成保持光致发光特性的非晶态SiNPs。此外，这种方法还成功接枝了二级和三级硅烷，而这在没有催化干预的情况下是未曾报道过的，这些硅烷也达到了与一级硅烷相当的表面覆盖率。这些取代硅烷也被证明在室温下可以在光引发条件下发生反应。提出了一种基于自由基的机制来解释这种反应性，类似于自由基引发的水硅烷化反应。这种方法可以使得更多种类的硅烷接枝到硅表面，并为进一步的化学反应提供非晶态SiNP基底。

利益冲突

没有需要声明的利益冲突。

数据可用性

支持本报告发现的数据已包含在文章和补充信息（SI）中，原始数据可应相应作者的要求提供。补充信息可查阅：DOI: https://doi.org/10.1039/d5nr04768d。

致谢

我们感谢阿尔伯塔大学分析实验室在收集FTIR数据方面提供的帮助。同时感谢阿尔伯塔大学nanoFAB设施提供的XPS和电子显微镜设备支持。此外，我们也感谢自然科学及工程研究委员会（NSERC Discovery Grant项目；RGPIN-2020-04045）、阿尔伯塔创新计划（Alberta Innovates）、NSERC CREATE支持的ATUMS培训计划（CREATE-463990-2015），以及阿尔伯塔大学科学学院和研究生院的持续慷慨资助。