更正：“基于Hf/Zr超晶格的高κ栅极介质：通过偶极层工程实现先进CMOS技术”

《ACS Nano》：Correction to “Hf/Zr Superlattice-Based High-κ Gate Dielectrics with Dipole Layer Engineering for Advanced CMOS”

该修正声明指出原论文致谢部分资助信息不完整，现补充国家自然科学基金CAREER Award（No.2047880）及韩国国家研究基金会（No.RS-2023-00260527）资助支持，同时感谢Intel公司Seunghoon Sung等研究人员的贡献。更正不影响原文研究结论。

　　在最初发表的文章中，致谢部分的资金来源信息不完整。现已对致谢部分进行修正，增加了来自美国国家科学基金会（National Science Foundation）CAREER奖（奖项编号：2047880）的支持信息。修正后的致谢部分如下： 本研究得到了SRC GRC 2024逻辑与存储设备项目（项目编号：#3235.001）、美国国家科学基金会CAREER奖（项目编号：#2047880）以及由韩国政府（科技信息通信部，MSIT）资助的韩国国家研究基金会（NRF）项目（项目编号：RS-2023-00260527）的支持。同时，我们也感谢英特尔晶圆技术研究部门（位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒和爱尔兰）的Seunghoon Sung、Ashish Penumatcha、Uygar Avci和Ashish Agrawal在研究中的宝贵贡献和富有洞察力的讨论。 此次修正不会影响原始论文的研究结果、讨论内容或结论。 ### 作者信息 **通讯作者：** - Taeyoung Song https://orcid.org/0009-0004-0772-5888 - Sanghyun Kang https://orcid.org/0009-0007-4782-863X **其他作者：** - Yu-Hsin Kuo - Jiayi Chen - Lance Fernandes - Nashrah Afroze - Mengkun Tian - Hyoung Won Baac - Changhwan Shin - Asif Islam Khan ### 被引用情况 本文尚未被其他出版物引用。