基于AlGaN/GaN HEMT的铁电栅控增强技术实现的超高响应度紫外光敏晶体管

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《IEEE Transactions on Electron Devices》：Ultrahigh-Responsivity Ultraviolet Phototransistor Enabled by Ferroelectric Gating Enhancement Based on an AlGaN/GaN HEMT

【字体：大中小】 时间：2026年02月20日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

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摘要：

高性能紫外（UV）光电探测器的发展通常受到响应度、响应速度和功耗之间基本权衡的限制，这限制了它们的整体性能。在这里，我们展示了一种应对这一挑战的器件架构，该架构将Bi

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