基于分子的磁性系统中的动态滞后现象:路径概率方法在正方晶格上混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统中的应用
《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》:Dynamic hysteresis in molecular-based magnetic systems: application of the path probability method to the mixed-spin (3/2, 7/2) Blume-Capel Ising system on a square lattice
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时间:2026年03月05日
来源:Journal of Magnetism and Magnetic Materials 3.0
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穆斯塔法·根恰斯兰|贝扎·塔什
土耳其凯塞里市埃尔吉耶斯大学物理系,邮编38039
摘要
本研究利用路径概率方法,对二维正方晶格上具有混合自旋(3/2, 7/2)的Blume-Capel伊辛系统中的动态磁滞行为进行了全面研究。通过系统地改变温度、晶场强度、磁场频率以
穆斯塔法·根恰斯兰|贝扎·塔什
土耳其凯塞里市埃尔吉耶斯大学物理系,邮编38039
摘要
本研究利用路径概率方法,对二维正方晶格上具有混合自旋(3/2, 7/2)的Blume-Capel伊辛系统中的动态磁滞行为进行了全面研究。通过系统地改变温度、晶场强度、磁场频率以及动力学速率常数,我们分析了这些参数如何影响动态磁滞回线形态、矫顽场和剩磁。研究结果揭示了多种类型的磁滞回线,包括单环、双环和三环结构,这些差异取决于系统条件及交换相互作用(无论是铁磁还是反铁磁情形)。重要的是,该方法能够捕捉到传统模型中忽略的动力学效应,有助于理解系统在振荡磁场下的动态磁响应与磁滞行为。这些发现与先前理论研究结果以及快速处理磁性材料中的实验观测趋势具有定性一致性。本研究为设计具有可调动态特性的功能磁性材料提供了重要依据。
1. 引言
基于分子的磁性材料因其在自旋电子学、量子计算和高密度数据存储等先进技术中的应用潜力而备受关注[1]–[5]。这类材料的应用价值很大程度上取决于对其在时变外部刺激下动态磁响应的理解,尤其是动态磁滞回线的行为。这些以矫顽场和剩磁为特征的回线,是衡量磁性系统能量损失和存储能力的关键指标,因此在功能材料的设计与优化中起着至关重要的作用[6]–[7]。
为模拟伊辛型自旋系统的动力学行为,人们发展出了多种理论方法,包括平均场理论[8]–[13]、有效场理论[14]–[15]以及蒙特卡罗模拟[16]–[24]。这些方法在简单晶格结构和有限自旋配置的研究中取得了重要成果,但在处理非平衡现象的动力学方面往往存在不足,或者需要大量的计算资源,尤其是在面对持续外部驱动场的系统中。
具有不同自旋值和晶场参数的混合自旋Blume-Capel伊辛系统为探索复杂的磁现象提供了理想载体。然而,现有文献中针对此类系统——尤其是处于振荡外磁场作用下的(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛模型——的系统性研究十分有限。这一局限源于自旋状态增多带来的挑战、相应动态方程的复杂化以及庞大的数值计算需求。尽管有一些研究探讨了这类系统的某些方面,但往往侧重于静态性质或较为简单的动态场景。
例如,Bouda等人[25]使用蒙特卡罗方法研究了在单离子各向异性和外磁场作用下的混合自旋(3/2, 7/2)铁磁伊辛系统。他们的研究包括计算基态相图,并分析晶场常数如何影响特定温度下的磁滞曲线,发现了包括单环、双环、三环和五环在内的多种磁滞回线形态。类似地,Mohamad和Zuhair[26]在纵向磁场作用下,利用正方晶格上的混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统确定了其复杂结构的基态相图。Chakravorty和Chowdhury[27]以及Chakravorty[28]通过蒙特卡罗模拟计算了该系统的临界指数和磁热性质。Espriella等人[29]、[30]则同时运用蒙特卡罗方法和平均场方法,研究了在外磁场作用下的正方晶格混合自旋(3/2, 7/2)铁磁伊辛系统,分析了晶场和外磁场对磁化强度及磁滞曲线的影响,同样观察到了多环结构。Elidrysy等人[31]、[32]采用蒙特卡罗方法研究了在外磁场作用下的正方晶格混合自旋(3/2, 7/2)亚铁磁伊辛系统,探讨了系统参数对磁化强度、比热、补偿温度及磁滞曲线的影响,还进一步研究了其磁热性质。Eraki等人[33]利用蒙特卡罗模拟研究了具有混合自旋(3/2, 7/2)伊辛结构的陶瓷釉面(4–8)核壳纳米结构,分析了核心尺寸对磁性能、磁化强度及磁化率的影响。Kake等人[34]则利用精确递归关系,研究了在纵向磁场作用下、贝特晶格上的混合自旋(3/2, 7/2)亚铁磁Blume-Capel伊辛系统的临界行为、补偿行为及磁滞行为,给出了通过分析不同平面上序参量温度依赖性得到的相图,并观察到了多环磁滞曲线现象。最后,Ghafel和Mohamad[35]采用平均场近似方法,研究了在外磁场作用下正方晶格和三角形晶格上的混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统,发现该系统表现出超顺磁性。
我们的研究采用了由Kikuchi[36]首次提出的路径概率方法,相较于以往主要依赖平均场理论、有效场理论或蒙特卡罗方法、且往往未充分考虑动力学效应的研究,该方法具有显著优势。这一创新方法使得我们能够更细致深入地探究动态参数如何影响磁滞回线的特征。因此,我们的工作为当前相关研究带来了重要进展,揭示了非平衡系统中微观动力学与宏观磁响应之间复杂的相互作用机制。路径概率方法提供了一个自洽的框架,可同时处理热力学过程和动力学过程,从而研究动态条件下时间依赖的占据概率及其演化规律[37]–[40]。该方法的独特优势在于能够引入不同的速率常数——这些参数可对应于诸如弛豫动力学或凝固动力学之类的物理现象,甚至可类比为快速淬火技术中的轮速参数[39]–[42]。正是这些特性,使得路径概率方法特别适合用于研究具有复杂相互作用的自旋系统。
近期研究已证实,路径概率方法在分析不同自旋配置和晶格结构下、处于振荡磁场作用下的混合自旋Blume-Capel伊辛系统的动态性质方面具有高效性[43]–[50]。在此基础上,本研究进一步拓展了路径概率方法的应用范围,旨在探究更高阶自旋系统中的复杂动态磁滞回线行为。此前已有研究主要聚焦于混合自旋(1, 7/2)和(3/2, 7/2)的Blume-Capel伊辛系统,并对其磁滞回线行为进行了系统分析[49]–[50]。在本研究中,我们将研究对象定为二维正方晶格上的混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统,这是一种典型的二维参考几何结构(配位数z=4),常被用于研究伊辛模型中的非平衡磁滞与动态响应。在这一最简的二维参考结构中,对更高阶自旋系统的系统研究在理论文献中仍相对较少。此外,以往研究大多采用固定的交换相互作用参数,往往忽视了铁磁(正J值)和反铁磁(负J值)耦合情景对动态磁响应的影响,包括磁滞回线的形态和数量。在本研究中,我们并未试图完整描述系统的动态相变过程,而是集中分析动态磁滞行为,包括动态磁滞回线形态、矫顽场及剩磁。我们详细研究了这些量与关键系统参数之间的依赖关系,这些参数包括温度、晶场相互作用、外加振荡磁场的幅值与频率,以及动力学速率常数。因此,本研究的宗旨并非构建一个完整的DPT诊断框架,而是阐明所研究的混合自旋系统中动态磁滞特性的参数演变规律。
本文其余部分结构如下:第2节详细介绍二维正方晶格上混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统的理论模型及路径概率方法的构建方式。第3节展示并解读数值计算结果,重点分析系统参数如何影响矫顽场、剩磁以及动态磁滞回线的形态。最后,第4节总结我们的主要发现,并提出未来的研究方向。
2. 方法与建模
我们研究的是由交替排列在正方晶格上的自旋3/2(σ)和自旋7/2(S)磁性离子构成的二维混合自旋Blume-Capel伊辛系统。此处选用正方晶格作为标准的二维参考几何结构,其配位数为z=4,便于在路径概率方法框架内清晰分析动力学效应;该结构并不等同于任何具体的实验系统。该晶格被划分为两个相互渗透的子晶格:子晶格A包含自旋σ=3/2的离子,子晶格B包含自旋S=7/2的离子。每个子晶格中的自旋都会与其在另一子晶格中的四个最近邻自旋发生相互作用。
该系统处于随时间变化的纵向振荡磁场中,磁场强度可表示为H=H0sinωt,其中H0为磁场幅值,ω为角频率。该系统的时变哈密顿量如下:
(1) ?=?J∑σiASjB?D∑iσiA2+∑jSjB2?H∑iσiA+∑jSjB。
其中,J表示不同子晶格上相邻自旋之间的双线性交换相互作用,其符号决定了磁耦合的性质:J>0表示铁磁耦合,而J<0则表示反铁磁耦合。第二项代表单离子各向异性,即晶场参数D,其正负及大小决定了非零自旋状态的能量高低。最后一项则描述了自旋与时变磁场之间的塞曼相互作用。
为研究系统的动力学演化过程,我们采用了由Kikuchi[36]最初提出的路径概率方法。该方法为研究系统在动态外场作用下的微观构型随时间变化的概率分布提供了强大工具。与静态或准平衡方法不同,路径概率方法能够同时处理动力学效应和热力学效应。
我们定义子晶格A的状态概率为XiA,子晶格B的状态概率为XjB,它们分别表示自旋处于相应状态的时间依赖概率。对于自旋3/2的子晶格A,共有4种可能的自旋状态(σ=±3/2, ±1/2);而对于自旋7/2的子晶格B,则有8种可能的自旋状态(S=±7/2, ±5/2, ±3/2, ±1/2)。因此,整个系统由12个状态概率和10个相应的平均序参量来描述,这样的设定保证了在归一化约束下路径概率方程的封闭性。
相关的动态序参量包括:
• 对于A层:平均磁化强度mA≡<σia>,四极矩qA≡<σia2>,八极矩rA≡<σia3>;
• 对于B层:平均磁化强度mB≡,四极矩qB≡,八极矩rB≡,十六极矩oB≡,三十二极矩pB≡,四十六极矩tB≡,十八极矩uB≡。这些平均序参量可通过状态概率按以下公式表示:
(2a) mA=32X1A?X4A+12X2A?X3A
(2b) qA=94X1A+X4A+14X2A+X3A
(2c) rA=278X1A?X4A+18X2A+X3A
(3a) mB=72X1B+52X2B+32X3B+12X4B?12X5B?32X6B?52X7B?72X8B
(3b) qB=494X1B+254X2B+94X3B+14X4B+14X5B+94X6B+254X7B+494X8B
(3c) rB=3438X1B+1258X2B+278X3B+18X4B?18X5B?278X6B?1258X7B?3438X8B
(3d) oB=240116X1B+62516X2B+8116X3B+116X4B+116X5B+8116X6B+62516X7B+240116X8B
(3e) pB=1680732X1B+312532X2B+24332X3B+132X4B?132X5B?24332X6B?312532X7B?1680732X8B
(3f) tB=11764964X1B+1562564X2B+72964X3B+164X4B+164X5B+72964X6B+1562564X7B+11764964X8B
(3g) uB=823543128X1B+78125128X2B+2187128X3B+1128X4B?1128X5B?2187128X6B?78125128X7B?823543128X8B
在此建模体系中,所有高阶矩均定义为来自各子晶格占据概率的单点矩,因此目前路径概率方法近似中并未明确考虑自旋间的点间关联。不过,由于状态概率及相关量对于推导动态序参量至关重要,因此可以通过方程(2)–(3)并结合归一化条件,将它们用平均序参量表示出来。对于A层:
(4a) X1A=?124mA+14qA+16rA?116
(4b) X2A=18mA?14qA?12rA+916
(4c) X3A=98mA?14qA+12rA+916
(4d) X4A=124mA+14qA?16rA?116
对于B层则有以下表达式:
(5a) –X1B=‐57168mB+25923040qB+3711520rB?71152oB?1576pB+11440tB+15040uB?52048
(5b) X2B=495120mB?4994608qB?49911520rB+591152oB+592880pB?1288tB?1720uB+492048
(5c) –X3B=‐2453072mB+12992560qB+4331280rB?15128oB?564pB+1160tB+1240uB?2452048
(5d) X4B=12251024mB?18914608qB?18912304rB+831152oB+83576pB?1288tB?1144uB+12252048
(5e) –X5B=‐12251024mB?18914608qB+18912304rB+831152oB?83576pB?1288tB+1144uB+12252048
(5f) X6B=2453072mB+12992560qB?4331280rB?15128oB+564pB+1160tB?1240uB?2452048
(5g) –X7B=‐495120mB?4994608qB+49911520rB+591152oB?592880pB?1288tB+1720uB+492048
(5h) X8B=57168mB+25923040qB?3711520rB?71152oB+1576pB+11440tB?15040uB?52048
接下来,我们可以利用路径概率方法推导出平均序参量的动态方程。Kikuchi[36]提出的路径概率方法的核心方程描述了状态变量的变化率,其表达式为:
(6) dXidt=∑i≠jxji?xij。
其中xji表示系统从状态i转变为状态j的路径概率函数,而详细平衡条件要求xji=xij。在本研究中,我们将采用Kikuchi的第二种方法[36],其表达式为:
(7) xij=kijZ?1Xiexp?βN?E?Xj。
在此公式中,β=1/kBT,kB为玻尔兹曼常数,在后续计算中我们统一取kB=1.0。kij为速率常数,且满足kij=kji。相比其他常见方法,路径概率方法的一个显著优势在于它具有三个速率常数,我们将其分别记为k1、k2和k3,它们实际上就是各种耦合常数。这些速率常数对于研究系统的动态性质至关重要。在Blume–Capel伊辛模型的固定晶格框架下,k1对应于同号(保持取向)的单点自旋转变,k2代表纯粹的自旋反转过程(+m ????m),而k3则描述了反转与磁化强度变化同时发生的转变过程。σia3>σia2>σia>表I展示了A层和B层的速率常数。k1表示自旋粒子的平移运动,k2表示在特定位置上自旋粒子的旋转运动,而k3则表示自旋的平移与旋转同时发生。几何平均值k3可表示为k3=k1k2。层AX1A的构型为(3/2)X2A(1/2)X3A(?1/2)X4A(?3/2)X1A(3/2),对应的参数关系为k1k3k2;X2A为(1/2)k1k2k3;X3A为(?1/2)k3k2k1;X4A为(?3/2)k2k3k1。层BX1B的构型为(7/2)X2B(5/2)X3B(3/2)X4B(1/2)X5B (?1/2)X6B (?3/2)X7B (?5/2)X8B (?7/2)X1B (7/2),其参数关系分别为k1k1k1k3k3k3k2、X2B为k1k1k1k3k3k2k3、X3B为k1k1k1k3k2k3k3、X4B为k1k1k1k2k3k3k3、X5B为k3k3k3k2k1k1k1、X6B为k3k3k2k3k1k1k1、X7B为k3k2k3k3k1k1k1、X8B为k2k3k3k3k1k1k1。A层和B层的配分函数Z分别由下式给出:ZA=∑i=14exp?βN?E?XiA,ZB=∑j=18exp?βN?E?XjB,其中N为自旋粒子数,E为系统的内能,可通过公式(1)–(3)用XjA和XjB表示,即EN=?J{32X1A?X4A+12X2A?X3A72X1B+52X2B+32X3B+12X4B?12X5B?32X6B?52X7B?72X8B}?D{94X1A+X4A+14X2A+X3A+494X1B+254X2B+94X3B+14X4B+14X5B+94X6B+254X7B+494X8B}?H{32X1A?X4A+12X2A?X3A+72X1B+52X2B+32X3B+12X4B?12X5B?32X6B?52X7B?72X8B}。在混合自旋(3/2, 7/2)的Blume-Capel伊辛系统中,两个序参量mA和mB用于描述系统的动态磁性质。为确保方程数量与未知数数量相等,我们还定义并计算了其他序参量。为便于阐述,此处仅展示mA和mB的动态方程,其余方程见附录。这些动态方程可通过公式(4)–(9)得出。针对A层,平均磁化的动态方程为(10a)ΩdmAdξ={16cosha13k1+15k2?28k3sinhb+14k1?12k2?26k3coshbmA?sinha2?k2+k3sinhb+k1?k2coshbqA+23cosha?k1?3k2+4k3sinhb+2?k1+k3coshbrA+14sinha4k1?6k2+10k3sinhb+5k1+3k2+8k3coshb}/4kcoshacoshb;(11a)ΩdmBdξ={[?1225512k2+337126880k1+1436353760k3eb4cosha4+212918960k1?8699717920k3+245512k2eb3cosha3+?49512k2?7022510752k3+248755376k1eb2cosha2+264113840k1?682577680k3+5512k2eb1cosha1]mB+[1693311520k3?18912304k2?37395760k1eb4sinha4+55192304k3?37395760k1+38971280k2eb3sinha3+?37395760k1+22171280k3?24952304k2eb2sinha2+11332304k3+181311520k2?37395760k1eb1sinha1]qB+[12891152k3+18911152k2?301576k1eb4cosha4+1299640k2?301192k1+69071920k3eb3cosha3+4991152k2+279128k3?1505579k1eb2cosha2+2595760k2+213295760k3?2107579k1eb1cosha1]rB+[83576k2+19288k1?121576k3eb4sinha1+19288k1+367576k3?4564k2eb3sinha3+?3764k3+19288k1+295576k2eb2sinha2+11576k3+19288k1?49576k2eb1sinha1]oB+[2931440k3+61720k1?83288k2eb4cosha4+1532k2+61240k1?347480k3eb3cosha3+?732k3+61144k1?59288k2eb2cosha2+427720k1?8991440k3+7288k2eb1cosha1]pB+[?1360k1+7720k3?1144k2eb4sinha3+?1360k1?5144k3+380k2eb3sinha3+380k3?1360k1?5144k2eb2sinha2+?1144k3?1360k1+77202eb1sinha1]tB+[?5504k3?1252k1+7720k2eb4cosha4+?140k2+31840k3?184k1eb3cosha3+1168k3?5252k1+172k2eb2cosha2+?136k1+11360k3?1360k2eb1cosha1]uB+12251024k2?3631024k3+81512k1eb4sinha4+593512k1+26211024k3?7351024k2eb3sinha3+1105512k1+26651024k3+2451024k2eb2sinha2+1617512k1+39691024k3?351024k2eb1sinha1}/(2kcosha1eb1+cosha2eb2+cosha3eb3+cosha4eb4),其中a=JmB+h/T,b=d/T,c=JmA+h/T,a1=72c,a2=52c,a3=32c,a4=12c,b1=494b,b2=254b,b3=94b,b4=14b,h=H/z,d=D/z,T=βz?1,z=4,Ω=ω/k,k=k1/k2,k3=k1k2,ξ=ωt。由于系统的动态磁性质主要由mA和mB决定,因此我们仅研究这两个量以分析系统的动态磁滞回线。A层和B层的动态磁滞回线面积定义为[47](12)A=?∮mA,BtdH=H0ω∮mA,Btsinωtdt。总磁化强度则定义为mT=mA+mB/2。由此可导出10个包含10个未知数的非线性微分方程,即公式(10a)、(11a)以及公式(A.10b)、(A.10c)、(A.11b)、(A.11c)、(A.11d)、(A.11e)、(A.11f)、(A.11g)。这些耦合的动态方程(PPM动态方程)是通过计算机代数程序MAPLE推导并简化得到的,而所有的数值时间积分则是通过我们自行编写的C++代码完成的。这些PPM动态方程(一组10个耦合的非线性常微分方程)是采用固定步长的预测-校正法进行数值积分的。最初几步使用标准的四阶龙格-库塔算法,之后的时间步长则通过亚当斯-莫尔顿预测-校正算法来确定。时间步长设定为Δt?=?11/112(无量纲单位),相当于振荡场相位变量的一个驱动周期(2π)内有64个均匀的时间步长。对于每组参数,系统会演化N_per?=?301个场周期;前N_tr?=?300个周期被视为瞬态阶段而被忽略,最终的磁滞量(回线面积、矫顽场和剩磁)则是从最后一个周期中计算得出的。通过减小时间步长以及延长忽略的瞬态阶段,我们验证了数值稳定的性,结果显示,在绘图精度范围内,磁滞回线并无变化。这种数值积分策略(亚当斯-莫尔顿预测-校正法结合罗姆伯格积分法计算回线面积)在我们之前的PPM动态磁滞研究中也有应用[43]、[44]、[45]、[46]、[47]、[48]、[49]、[50]。本研究的成果与讨论将在下一节中给出。3. 数值结果与讨论在本节中,我们将展示并分析通过PPM方法针对正交晶格上的混合自旋(3/2, 7/2) BCIS体系在振荡外磁场作用下的耦合非线性微分方程组所获得的数值结果。为避免过多图表给读者带来困扰,这里仅呈现最值得关注的结果。我们将把这些结果分为两类:一类是J?>?0的情况,另一类是J?0的情况。虽然有些研究者倾向于仅通过系统的回线图或CF曲线和RM曲线来阐述研究结果,但我们会在同一张图中同时展示所选的回线特征(“a”组)以及CF和RM特征(“b”组)。在所有图表中,各层磁化强度的动态磁滞回线行为分别用黑色、蓝色和红色标注,代表mA、mB和总磁化强度mT。由于系统的动态磁滞回线行为强烈依赖于温度(T)、简化的晶体场参数(d)、外磁场频率(ω)以及动力学速率常数(k2)等参数,因此我们研究了这些参数对动态磁滞回线行为的影响[12]、[44]、[45]、[48]、[57]、[51]。在研究过程中,当计算不同温度、频率、晶体场常数和k2速率常数时的磁场幅度均设为h0=1.50,速率常数设为k1=1.0。3.1 J?=?1.0时的结果图1展示了在固定参数J?=?1.0、d?=?2.0、k2=2.0和ω=1.50π条件下,动态磁滞回线行为、CF曲线和RM曲线随温度的变化情况。在低温下,回线较大,CF和RM值也较高,表明系统具有强烈的铁磁响应。随着温度(T)的升高,热扰动会破坏磁化方向的有序排列,从而导致磁滞回线面积、矫顽力和剩磁下降。在T?=?9.35和T?=?12.50时,mB和mT表现出非常细微的双环结构。实验观测结果也表明,磁滞回线面积会随着温度的上升而减小,这一结论与先前的研究结果一致[58]、[59]。此外,温度的进一步升高还会导致这些磁滞回线的整体尺寸缩小,这种现象在NiO薄膜中也有过报道[60]。值得注意的是,这些回线的几何形状能够反映材料的磁性质:宽度较大的回线通常出现在硬磁材料中,这类材料多用于存储器、磁记录介质和永磁体等领域;而宽度较小的回线则对应软磁材料,更适合用于交流电路、电机核心和变压器等场合。图1b展示了对应这些动态磁滞回线的CF曲线和RM曲线。从图1b可以看出,当温度较高时,mB和mT确实会出现双环结构。下载:下载高分辨率图像(734KB)下载:下载完整尺寸图像图1.(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、d=2.0、ω=1.50π、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同温度T下mA、mB和mT的动态磁滞回线行为。(b) 矫顽场和剩磁随温度的变化规律。振荡磁场的频率决定了系统对外部变化的响应能力。图2展示了在固定T?=?0.10、d?=?2.0和k2=2.0的条件下,ω的变化如何影响动态回线形态。在低频率下,系统有足够的时间与磁场对齐,因此会产生宽度较大、对称性较好的矩形回线,且其剩磁和矫顽力都较高。随着ω的增大,磁化强度与磁场之间的滞后现象越来越明显,这使得回线逐渐变窄,矫顽力和剩磁也会随之下降。在高频情况下,系统无法及时响应,最终产生的回线会变得很窄,甚至呈现椭圆形,这是动态冻结现象的典型特征。在其他研究中,无论是理论研究[16]、[47]、[48]、[61]、[62]、[63]、[64]、[65]还是实验研究,也都观察到了随着ω的增大所有回线面积都会缩小的现象。下载:下载高分辨率图像(837KB)下载:下载完整尺寸图像图2.(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、d=2.0、T=0.10、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同振荡频率ω下mA、mB和mT的动态磁滞回线行为。(b) 矫顽场和剩磁随频率的变化规律。图3展示了在固定T?=?0.10、ω=1.35π和k2=2.0的条件下,d的不同取值对动态磁滞回线行为的影响。起初,磁滞回线的面积相对较小,且呈对称的矩形结构。随着d的增大,回线面积会逐渐增加,但当d超过某一特定值后,回线面积不再发生变化。从图3a和图3b可以看出,mA、mB和mT的磁化强度并未出现多环结构。显然,随着单离子各向异性参数d的增大,动态磁滞回线行为会受到多种因素的影响,包括混合自旋体系的晶体场结构、高自旋态和低自旋态的数量、是否存在外磁场以及所采用的计算方法等。例如,在本研究中,当在正交晶格上研究混合自旋(3/2, 7/2) BCIS体系的动态磁滞回线行为时,只要d在一定范围内变化,回线面积保持不变,不会出现多环结构。而如果在六角晶格上使用PPM方法研究相同的混合自旋体系,则会发现回线面积会随着d的增大而增加,且会出现多环结构[50]。另外,有研究使用蒙特卡洛方法在正交晶格上研究相同的混合自旋体系,发现该体系的回线面积较窄,且也会出现多环现象[25]。再者,当在六角晶格上对混合自旋(2, 5/2)伊辛体系应用PPM方法时,虽然回线面积会增大,但仍可能出现多环结构[47]。然而,如果使用有效场理论在正交晶格上计算同一体系,则回线面积会变窄,且最多只会出现一个回线。下载:下载高分辨率图像(851KB)下载:下载完整尺寸图像图3.(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、ω=1.35π、T=1.50、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同晶体场相互作用参数d下mA、mB和mT的动态磁滞回线行为。(b) 矫顽场和剩磁随d的变化规律。为了探究速率常数k2对系统动态磁滞回线特征的影响,我们在两种不同的温度条件下进行了计算:低温条件和高温条件。选择这两种温度是因为在其他系统参数保持不变的情况下,它们能产生较为明显的差异。因此,相关结果分别展示在图4和图5中。我们选择这种方法的原因是,如前文所述,k2类似于MSM过程中的“轮速”,也就是冷却速率。这一特点恰恰体现了本研究中采用的PPM方法的优点,因此有必要在不同温度下进行计算并分析所得数据。研究中使用的系统参数为d?=?2.0,ω?=?6.0π。图4对应的是T?=?1.0的条件,而图5对应的是T?=?6.0的条件。下载:下载高分辨率图像(808KB)下载:下载完整尺寸图像图4.(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、ω=6.00π、T=1.0、k1=1.0、d=2.0的前提下,不同速率常数k2值下mA、mB和mT的动态磁滞回线行为。(b) 矫顽场和剩磁随k2的变化规律。下载:下载高分辨率图像(781KB)下载:下载完整尺寸图像图5.(彩色在线版)(a) 与图4(a)相同,但温度为T=6.0。(b) 与图4(b)相同,但温度为T=6.0。通过观察图4可知,在低温下,当k2值较小时,mA、mB和mT的磁化强度对应的回线呈现为细长且大致对称的矩形形态。随着k2值的增大,这三个磁化强度对应的回线面积都会逐渐增加,当k2约为4.25时,矫顽力开始缓慢下降,而剩磁则持续上升。在利用PPM方法研究伊辛自旋体系的动态磁性质时,会将k2参数纳入分析之中。因此,这些研究结果与之前使用PPM方法对不同晶格结构上的混合自旋伊辛体系进行的理论计算结果是一致的[43]、[44]、[45]、[46]、[47]、[48]、[49]。这些结果也与在六角晶格上研究的混合自旋(3/2, 7/2)伊辛体系的结果相似,不过后者出现了多环结构[50],而本研究则没有。此外,这些结果与使用熔融旋涂法进行的实验研究结果在定性上也是一致的[67]、[68]、[69]、[70]、[71],不过后者仅适用于k2值较小的情况。另外,这些结果也与白等人关于冷却速率对合金磁性质影响的的研究结果相符,因为冷却速率对应着较小的k2值[72]。再来看图5,它是在相同系统参数下提高温度后得到的结果,我们的研究结果与以往的大量研究结果高度吻合。这包括关于小数量混合自旋伊辛系统的理论研究[43]、[44]、[45]、[46]、[47]、[48]、[49],以及针对六角晶格上混合自旋(3/2, 7/2)伊辛系统的研究[50]。还有利用熔融纺丝方法进行的实验研究[67]、[68]、[69]、[70]、[71],以及针对NdF15e77B8[73]、Ni-Cr-Mo合金[41]和其他几种合金[74]、[75]、[76]的类似研究。3.2 当J = -0.20时的结果图6展示了在参数d=2.0、k2=2.0、ω=2.0π条件下,mA、mB和mT磁化强度的DMHLB曲线、CF曲线和RM曲线随温度的变化情况。如图6(a)所示,在低温下,mA曲线最初呈现三重环结构。当温度达到0.50时,它转变为对称的S形单环,随着温度的升高,该环逐渐变窄成椭圆形。相反,mB和mT在低温下也以三重环形式开始,但随着温度上升则逐渐变为越来越窄的对称椭圆形。同时,图6(b)显示,mA、mB和mT磁化强度的CF曲线和RM曲线随温度升高而持续减小,最终趋近于零。这一现象与许多理论和实验研究的结果一致,即环状区域的磁场强度会随温度上升而减弱[58]、[59]。此外,随着温度进一步升高,环状区域会变小,这一现象在NiO薄膜中也有实验观测到[60]。下载:下载高分辨率图像(781KB)下载:下载完整尺寸图像图6。(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、d=2.0、ω=2.00π、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同温度T下mA、mB和mT的DMHLB曲线。(b) 磁场矫顽力和剩磁强度随温度的变化规律。为得到图7中所展示的不同ω值对应的DMHLB曲线,采用了固定参数d=2.0、k2=2.0和T=0.50。当ω=1.20π时,会出现第一个环状结构。在这个初始ω值下,mA和mT呈现宽大的对称S形单环,而mB则表现出对称的三重环结构。此时,三种磁化强度的CF曲线和RM曲线都处于最大值,如图7(b)所示。随着ω的增大,mA和mT也开始出现三重环结构。随后,mB先变为双环结构,接着mT也变为双环,最后mA也变成双环结构。这一变化分别发生在ω=3.10π、3.40π和4.10π时,此时CF曲线和RM曲线数值为零。当ω继续增大超过这些数值后,CF曲线和RM曲线会略有上升,之后趋于稳定,变化幅度很小。我们的观察表明,随着ω的增大,所有环状区域的面积都会减小,这一结果与其他理论研究[47]、[48]、[49]、[50]、[55]、[56]、[57]、[58]、[59]、[60]、[61]、[62]、[63]、[64]、[65]、[77]、[78]、[79]、[80]、[81]以及实验研究[66]的结果一致。下载:下载高分辨率图像(837KB)下载:下载完整尺寸图像图7。(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、d=2.0、T=0.50、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同振荡场频率ω值下mA、mB和mT的DMHLB曲线。(b) 磁场矫顽力和剩磁强度随ω的变化规律。图8展示了在固定参数ω=2.20π、k2=2.0、T=1.0的情况下,改变d参数对动态磁滞回线行为DMHLB的影响。如图8(a)所示,当d值较小时,mA成分呈现狭窄的对称三重环结构,mB呈现狭窄的单重环对称结构,而mT则呈现狭窄的双重环结构。当d稍有增大,即d=0.075时,mA呈现狭窄的单重环结构,mB变为狭窄的双重环结构,mT则呈现狭窄的对称三重环结构。当d进一步增大到0.20时,mA仍保持对称的单重环结构,mB变为狭窄的三重环结构,mT则继续保持三重环结构。当d=2.0时,这些DMHLB的形状不再发生变化,仅环状区域的面积略有扩大。此后d继续增大也不会再影响环状结构的形状或面积。这些环状结构的对应CF曲线和RM曲线如图8(b)所示。值得注意的是,当d=0.075时,CF曲线和RM曲线都变为零,而这正是mB呈现双环结构的数值。这种依赖于d值的动态磁滞回线行为在具有相似特性的多种伊辛系统中也有报道[43]、[49]、[50]、[53]、[82]。下载:下载高分辨率图像(770KB)下载:下载完整尺寸图像图8。(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、ω=2.20π、T=1.50、k1=1.0、k2=2.0的前提下,不同晶体场相互作用d值下mA、mB和mT的DMHLB曲线。(b) 磁场矫顽力和剩磁强度随d的变化规律。最后,图9展示了当d=2.0、ω=6.0π、T=0.50时,k2值对DMHLB特性的影响。我们的研究结果表明,随着k2值的增大,mA、mB和mT的磁滞回线面积会变得更大、更宽。有趣的是,当k2>5.85时,就不再观察到磁滞回线。这一趋势与关于动态自旋(1/2, 1)伊辛系统的理论研究[83],以及利用熔融纺丝方法进行的实验研究[69]、[73]、[84]、[85]的结果一致。它也与Bai等人关于冷却速率对Fe53Nd37Al10合金磁性能影响的 research结果高度契合[86]。如前所述,熔融纺丝过程中的k2值对应着轮速,而轮速决定了材料的冷却速率。在高k2值下观察到宽大的磁滞回线,说明形成了硬磁体。这一结果与熔融纺丝工艺的实验结果一致,那些实验表明提高轮速能够提升合金的磁硬度[41]、[42]、[71]、[74]、[87]、[88]。下载:下载高分辨率图像(770KB)下载:下载完整尺寸图像图9。(彩色在线版)(a) 在固定h0=1.50、ω=6.00π、T=1.0、k1=1.0的前提下,不同速率常数(即快速凝固技术中的轮速)k2值下mA、mB和mT的DMHLB曲线。(b) 磁场矫顽力和剩磁强度随k2的变化规律。从某个特定的k2值开始直到k2=5.85,环状区域的面积基本保持不变,这意味着磁体的硬度也保持稳定。在Ni-Cr-Mo合金[41]以及通过熔融纺丝工艺制备的其他几种合金[69]、[73]、[74]、[84]、[85]、[86]中也有类似的实验观察结果。此外,mA、mB和mT的磁滞回线最初呈椭圆形。随着k2值的增大,环状区域先扩大,然后变为S形,随后又逐渐变窄。而且在某个特定的k2值之前,S形区域的面积还会进一步增大,接近矩形形态。这些结果与使用熔融纺丝技术制备的Nd-Fe-B合金[88]以及SmCoFeCu/NiZr7.5纳米复合材料[84]的实验研究结果相符。总之,如果我们考虑所有合理的k2值而非特定的数值范围,就会发现,与图9(a)的情况类似,但此时在较低的k2值下,较大的动态磁滞回线面积最初会减小到零,随后又随着k2的增大而再次上升。这一现象在图9(b)中有体现,该图展示了随k2变化的动态RF值和RM值。将图9(a)与理论计算结果进行比较后可以发现,它与之前使用PPM方法针对各种混合自旋伊辛系统所得到的DMHLB曲线[43]、[44]、[45]、[46]、[47]、[48]、[49]、[50]存在差异,而那些理论计算结果与该领域的其他理论和实验研究结果十分吻合。我们本文得到的这些新颖结果与现有实验研究结果之间的差异,可能源于熔融纺丝工艺中所用磁性合金中各组分浓度的不同。另外,也可能是因为无法实现更高的轮速,而轮速直接决定了合金带的厚度。4. 结论在本文中,我们运用路径概率法分析了在振荡磁场作用下,方形晶格上混合自旋(3/2, 7/2)Blume-Capel伊辛系统的动态磁滞特性。我们发现,该系统会展现出多种多样的磁滞行为,这些行为受温度、晶体场常数、振荡磁场的频率以及各种速率常数的影响,尤其是那些与自旋弛豫过程以及快速凝固过程中的冷却速率等物理过程相关的因素。该模型成功再现了实验中观察到的多重环结构、动态矫顽力以及剩磁行为,尤其是在铁磁性和反铁磁性相互作用存在的条件下。这些结果不仅证明了PPM方法在描述非平衡动力学过程中的有效性,还凸显了动力学参数在调控磁响应方面的作用。未来的研究可以将这些探索拓展到三维系统以及其他晶格结构中,从而进一步深入理解复杂的自旋动力学现象。作者贡献声明Mustafa Gen?aslan:撰写——审稿与编辑、指导、项目管理、方法设计、概念构思。Beyza Ta?:软件应用、方法设计、实验研究。未引用的参考文献[33]、[52]、[54]
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