通过电子束光刻技术，对石墨烯单层进行紫外线处理，用于制备大面积石墨烯场效应晶体管

《IEEE Transactions on Nanotechnology》：Graphene monolayer treated with UV irradiation for large area Graphene field-effect transistors by electron beam lithography

　　

摘要：

石墨烯作为一种极具吸引力的纳米材料，被视作用于超越CMOS纳米电子学领域的理想材料。实现高性能场效应器件是迈向超越CMOS技术的重要一步。本研究介绍了采用石墨烯通道的长通道底栅MOSFET器件的制备与特性分析。文中展示了两种制备优化方法：第一种旨在去除转移来的CVD单层石墨烯中的聚合物残留物，第二种则聚焦于石墨烯单层的电子束光刻步骤。随后，通过结合光学和电学特性分析结果来估算单层中的载流子密度。基于对直流电学测量的全面分析，我们建立了不同类型的SPICE模型，用以模拟和解释所制备的器件。此外，还提出了一种利用非平衡格林函数方法进行大规模SPICE模拟的新方法。通过对这些模型的比较和性能评估，为进一步开发基于石墨烯的电路提供了可靠的电路设计工具。