基于180纳米工艺的低功耗12-16.5 GHz开关式跨导次谐波低中频接收器，适用于FR3频段的5G先进技术/6G应用

《IEEE Access》：A Low Power 12-16.5 GHz Switched Transconductance Sub-Harmonic Low IF Receiver in 180 nm Technology for 5G Advanced/6G Application in FR3 Band.

　　

摘要：

这款低功耗的次谐波开关式跨导I/Q接收器（Sw-Gm-SHR）专为FR3频段的低中频应用设计，可用于5G Advanced/6G应用。与现有的其他先进技术相比，该接收器由于其自偏置结构，具有更高的转换增益；而多相滤波器接收器的应用则提升了镜像抑制能力。由于采用开关式跨导工作方式、自偏置配置以及次谐波架构，该混合器能够实现极低的功耗。此外，通过使用正交本地振荡器信号生成技术，混合器的数量可减少到两个。该接收器支持的本地振荡器和射频带宽分别为5–8.5 GHz和12-16.5 GHz，3dB中频增益带宽为300 MHz。该芯片采用台积电180纳米CMOS工艺制造。测试结果显示，其输入回波损耗（S11）低于?10 dB，转换增益为22 dB，镜像抑制比为30 dB；在0.9 V电源供电下，单个混合器的功耗为1 mW，整个接收器的功耗则为5.4 mW。该芯片的总面积为0.512平方毫米。