通过溶液法处理聚合物材料制成的源栅晶体管,用于实现零功耗光传感器技术

《Advanced Electronic Materials》:Solution Processed Polymer Source-Gated Transistors for Zero-Power Photosensing

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年03月20日 来源:Advanced Electronic Materials 5.3

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   摘要 本研究首次展示了使用聚(N-烷基二酮吡咯吡咯二噻吩:[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(DPP-DTT: PCBM)混合物制备的解决方案处理的体异质结有机源栅晶体管(OSGTs)和光敏OSGTs

  

摘要

本研究首次展示了使用聚(N-烷基二酮吡咯吡咯二噻吩:[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(DPP-DTT: PCBM)混合物制备的解决方案处理的体异质结有机源栅晶体管(OSGTs)和光敏OSGTs。通过电学和光学测量以及对数值模拟的分析,研究了采用铜电极和银接触点的OSGTs与参考晶体管的表现。OSGTs表现出均匀的增强模式操作,标称阈值电压为-17.4 V,在零栅源电压时处于深度关断状态(电流仅为几十皮安),导通状态下的电流与通道长度无关,且电压饱和度低(饱和系数γ = 0.22)。铜接触光敏OSGTs在零栅源电压0 V时光电转换率(PDCR)超过3400,而银接触器件的PDCR在VGS约为20 V时才达到这一数值。模拟结果显示,电流不均性和偶尔的接触控制丢失主要是由于源接触势垒和/或活性层厚度的不均匀性,而非通道长度。设计优化应考虑旋涂厚度的变化、可能的铜-活性界面效应以及源边缘存在的高电场引起的漏电流。当保持较短通道长度并采用接触中间层或双功函数电极时,性能应能进一步提升。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。

数据可用性声明

支持本研究结果的数据可向相应作者提出合理请求后 obtains。

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