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基于TGV技术的高选择性带通滤波器设计:采用三维耦合与二维 lump 共振器结构,适用于射频前端应用
《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》:Design of High-Selectivity Bandpass Filter Using 3-D Coupling and 2-D Lump Resonators Based on TGV Technology for RF Front-End Application
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年03月23日 来源:IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 3.4
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基于TGV技术的带通滤波器新设计结合3D耦合与2D集总谐振器,等效电路模型分析传输零点极点,实测中心频率2.85GHz,带宽100MHz,插入损耗<2.3dB,带外抑制>20dB,性能优于前人研究。
具有高选择性的带通滤波器(BPF)能够提供良好的边带特性,因此更适用于要求苛刻的无线系统。众所周知,基于低温共烧陶瓷(LTCC)[1]、[2]、[3]、体声波(BAW)和表面声波(SAW)[4]、[5]以及基板集成波导(SIW)[6]、[7]、[8] 的 BPF 都能够实现高选择性。例如,在 [1] 中提到的 LTCC BPF 具有非常窄的 3-dB 分数带宽(FBW,仅为 4.5%),但中心频率为 28.7 GHz,且器件尺寸较大(9.9 × 2.2 mm),不适合高频集成应用;而在 [2] 中提到的 LTCC BPF 中,中心频率较低(1.57 GHz),通带宽度仅为 5% FBW,虽然通带内的插入损耗为 2.7 dB,但仍不适合高性能无线系统。