《Journal of Materials Science & Technology》:A novel synergistic optimization strategy for tuning heavy rare earth diffusion behavior to significantly enhance the coercivity of Nd-Fe-B magnets
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晶界扩散优化抑制化学诱导液膜迁移,铝铟协同促进铽深层扩散,实现低0.3wt.%铽含量下6mm厚永磁体10.51kOe矫顽力提升。
陶罗|林建强|明欣|傅鹏波|李云|王芳|詹伟|李庚|宋小龙|陶毅|熊杰夫|王立晨|张健|沈宝根
中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江省磁性材料与应用技术重点实验室,中国宁波 315201
摘要
晶界扩散(GBD)过程是提高Nd-Fe-B磁体矫顽力的关键技术。然而,该技术存在重稀土(HRE)扩散深度有限以及磁体表面HRE富集层过厚的问题,这严重阻碍了HRE利用效率和矫顽力的进一步提升。本研究提出了一种新的HRE扩散优化策略,利用不同元素的协同效应。通过添加铝(Al)来抑制化学诱导的液膜迁移(CILFM)机制,从而防止壳层过度增厚并减少磁体表面的HRE消耗。同时,引入高迁移性的铟(In)到晶界中,降低Tb的扩散活化能,进而增加其扩散深度。通过简单的单步扩散过程,在使用低HRE含量(0.3 wt.% Tb)的6 mm厚Nd-Fe-B磁体中,Tb65Cu10Al10In15扩散源使矫顽力提高了10.51 kOe,这是使用低HRE含量扩散源在厚磁体中实现的最高矫顽力提升。微磁模拟表明,适当减少HRE富集层厚度同时增加扩散深度更有利于高效利用HRE并提升矫顽力,这与实验结果一致。本研究证实了Al对CILFM的抑制作用,并探讨了In在GBD Nd-Fe-B磁体中的积极作用。这种协同优化效应促进了更深的Tb扩散,形成了更均匀的壳层结构并优化了晶界,从而显著提高了矫顽力。这项研究为设计高性能、低成本且HRE利用效率更高的Nd-Fe-B磁体奠定了基础。
引言
Nd-Fe-B磁体凭借其优异的硬磁性能(如高矫顽力(Hcj)、剩磁(Br)和最大能量积((BH)max),成为各种电机和发电机不可或缺的核心功能材料,在推动电气化革命和实现双碳目标方面具有重要意义[1,2]。为了满足应用需求同时降低生产成本,晶界扩散(GBD)工艺被开发出来,作为一种有效的方法,能够在最小化Tb或Dy等重稀土(HRE)元素消耗的情况下提高矫顽力[3]。在该过程中,HRE原子在热处理过程中沿晶界从表面涂层扩散到磁体内部,并取代Nd2Fe14B晶粒表面的Nd,形成(Nd,HRE)2Fe14B核壳结构。由于Tb2Fe14B和Dy2Fe14B的各向异性场(分别为220 kOe和150 kOe)远高于Nd2Fe14B(73 kOe)[4],该方法有效提高了矫顽力。尽管应用广泛,但GBD工艺仍面临矫顽力提升有限和HRE利用效率低等挑战[5,6]。因此,开发高效的扩散源仍然是关键的研究方向。
研究表明,在GBD过程中引入铝(Al)和铜(Cu)等元素可以促进HRE扩散并提高矫顽力[[7], [8], [9]]。Al被广泛使用,其增强效果已有充分文献记载[[10], [11], [12], [13], [14]];然而其背后的机制尚不明确。一般认为Al和Cu通过降低扩散源的熔点[[15], [16], [17]]和改善晶界润湿性来辅助HRE扩散。然而,一些研究表明增加Al含量可以减少HRE富集层的厚度并促进更深的HRE扩散[18,19],这表明Al具有需要进一步阐明的特定功能。目前,促进扩散的元素种类有限,其他潜在候选元素尚未得到充分探索。铟(In)是一种熔点较低(156.6°C)且结合强度相对较弱的金属。这一特性表明In可能有助于降低扩散活化能[20]并促进Nd-Fe-B磁体中的HRE扩散,但其在中GBD中的应用尚未进行研究。因此,探索新的元素及其扩散机制对于优化扩散源设计至关重要。
一个主要未解决的问题是HRE元素的扩散深度有限[21,22]。这主要是由于HRE优先替代Nd在磁体表面形成(Nd,HRE)2Fe14B壳层,导致HRE消耗过多,并在磁体近表面区域形成过厚的HRE富集层[23]。最近,Kim等人[24]提出了化学诱导的液膜迁移(CILFM)机制来解释壳层的形成。在热处理过程中,HRE富集的液膜在晶界处形成,并在化学势梯度作用下迁移。HRE通过液相扩散并在晶粒表面重新固化,形成微米级的不对称HRE富集层。由于这种液膜形成是GBD过程的固有现象,抑制CILFM以减少近表面HRE富集同时促进更深层次的扩散是优化微观结构和磁性能的关键。
在这项工作中,我们通过不同元素的协同效应开发了一种新的Tb扩散调节策略,旨在同时减少表面Tb富集并促进深层扩散。我们首次证明Al能有效抑制CILFM,防止磁体表面异常壳层增厚,并减少该区域的Tb消耗。同时,我们研究了In对Tb晶界扩散的影响,发现In可以降低Tb的扩散活化能,增加其扩散深度,并优化晶界结构和组成。Al和In的协同优化显著改善了Tb的扩散行为和磁体的微观结构。因此,在使用低HRE含量扩散源的厚磁体中实现了更大的矫顽力提升,为设计低成本且HRE利用效率更高的Nd-Fe-B磁体奠定了基础。
实验部分
实验
使用了三种不同Tb含量的烧结Nd-Fe-B磁体作为基底:(1) 1.40 wt.% Tb(标称成分:Nd20.91Pr6.53Tb1.40FebalB0.97Co1.97M0.67;M = La, Ce, Ga, Zr, Cu, Al,wt.%),(2) 0.84 wt.% Tb(标称成分:Nd26.80Tb0.84Dy0.43FebalB0.94Co1.20M0.6;M = Cu, Zr, Al, Pr, Ga,wt.%),以及(3) 无Tb(标称成分:Nd26.83FebalB0.92Co0.67M0.6;M = Ga, Cu, Pr, Zr, Al,wt.%)。其中1.40 wt.% Tb的磁体初始Cu含量为0.1 wt.%,Al含量为0.005 wt.%。
磁性能
系统研究了扩散时间和温度对磁性能的影响。如图1(a)所示,在900°C的固定扩散温度下,使用TbCu、TbCuAl、TbCuIn和TbCuAlIn扩散源的磁体,随着扩散时间从5小时延长到16小时,Hcj有所增加,但进一步延长到24小时后反而降低,16小时时达到最佳效果。图1(b)显示,使用TbCu扩散的磁体在900°C时获得了最高的Hcj。
结论
本研究通过元素协同效应开发了一种新的Tb扩散优化策略,同时减少了Tb在表面的积累并促进了其深层渗透。实验确认Al有效抑制了扩散过程中的CILFM现象。这种抑制作用使得壳层结构更薄,减少了表面附近的Tb消耗,并显著提高了Tb的利用效率。此外,还研究了In对GBD Nd-Fe-B磁体的影响。
CRediT作者贡献声明
陶罗:撰写 – 审稿与编辑,撰写 – 原稿,方法学,实验研究,数据分析。林建强:资源获取,项目管理,方法学,数据分析。明欣:资源获取,方法学,数据分析,概念构思。傅鹏波:数据可视化,验证,软件应用,方法学,概念构思。李云:软件应用,方法学,实验研究,数据分析。王芳:项目监督,资源获取,方法学,概念构思。詹伟: