一种采用增益补偿技术的2.1–49.8 GHz分布式放大器

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A 2.1–49.8-GHz Distributed Amplifier With Gain-Compensating Techniques

本文提出了一种基于0.25μm GaAs E/D模式pHEMT工艺的超宽带分布放大器，通过增益补偿电路有效缓解高频增益滚降问题，实测在2.1-49.8GHz频带内平均增益8.1dB，典型群延迟58ps，峰值输出功率14dBm，并集成了偏置电路，芯片尺寸1.3×1.5mm（含测试焊盘）。

　　

摘要：

本文介绍了一种超宽带分布式放大器（DA），该放大器采用0.25微米（μm）厚的GaAs E/D模式伪形高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺制造。该工艺的晶体管工作频率可达57GHz，并将放大器的最高工作频率扩展至49.8GHz。为了解决由于晶体管的寄生参数和人工传输线的损耗导致的放大器在高工作频率下的增益下降问题，本文提出了一种带有信号路径的增益补偿单元。测试结果表明，采用这种增益补偿单元的放大器在2.1至49.8GHz的频率范围内具有8.1 dB的平均增益、58 ps的典型群延迟以及14 dBm的峰值输出功率（OP）。将偏置电路集成到芯片上后，整个放大器的芯片面积为1.3×1.5毫米（包括测试焊盘）。