在标准CMOS技术中，利用抗反射涂层作为离子敏感层及FLOTOX隧道器件来提升ISFET的性能

《IEEE Sensors Letters》：Performance Enhancement of ISFETs in Standard CMOS Technology Using Anti-Reflection Coating as Ion-Sensitive Layer and FLOTOX Tunnel Devices

　　

摘要：

我们展示了采用标准CMOS技术制造的离子敏感场效应晶体管（ISFETs）的特性测试结果，这些晶体管具有双向电子隧穿功能，测试指标包括灵敏度、漂移、信号分辨率以及被困电荷补偿效果。经测试，这些CMOS ISFETs的平均pH灵敏度为44.7mV/pH，漂移率为1.8mV/h，信号分辨率为0.002pH。据我们所知，这是在无需特殊修改的情况下，使用标准CMOS工艺制造带有离子敏感Si3N4层的ISFETs所达到的最佳性能参数。我们通过使用标准CMOS技术中可用的抗反射涂层作为离子敏感层，从而提升了器件性能，这使得我们的CMOS ISFETs能够用于分子诊断和DNA测序等对传感器性能要求较高的应用领域中作为生物传感器。